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[行業(yè)動態(tài)]Si3N4-AMB陶瓷基板的應(yīng)用

功率電子器件在電力存儲，電力輸送，電動汽車，電力機車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過程中將會產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會受到影響，嚴(yán)重的話，功率電子器件本身會被破損。這就要求擔(dān)負絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機械性能和導(dǎo)熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導(dǎo)熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板備受矚目。

2023-11-15 http:///Article/Si3N4-AMBtaocijiband.html
[行業(yè)動態(tài)]Si3N4-AMB陶瓷基板在高功率半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用

功率電子器件在電力存儲，電力輸送，電動汽車，電力機車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過程中將會產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會受到影響，嚴(yán)重的話，功率電子器件本身會被破損。這就要求擔(dān)負絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機械性能和導(dǎo)熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導(dǎo)熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板備受矚目。

2023-08-28 http:///Article/Si3N4-AMBtaocijibanz.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB Si3N4 陶瓷基板在高功率半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用

功率電子器件在電力存儲，電力輸送，電動汽車，電力機車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過程中將會產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會受到影響，嚴(yán)重的話，功率電子器件本身會被破損。這就要求擔(dān)負絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機械性能和導(dǎo)熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導(dǎo)熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機械性能，AMB Si3N4陶瓷基板備受矚目。1、Si3N4 為何要用AMB工藝目前功率半導(dǎo)體器件所用的陶瓷基板多為DBC（Direct Bond Copper，直接覆銅）工藝，Al2O3與ZTA等氧化物陶瓷以及AlN可使用DBC技術(shù)與銅接合：將無氧銅經(jīng)熱氧化或化學(xué)氧化制程于表面產(chǎn)生一Cu2O層，于1065~

2023-03-22 http:///Article/AMBSi3N4taocijibanza.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進展

氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進展隨著第三代SiC基功率模塊器件的功率密度和工作溫度不斷升高，器件對于封裝基板的散熱能力和可靠性也提出了更高的要求[1,2,3]。以往被廣泛使用的直接覆銅(Direct-Bonding-Copper，DBC)陶瓷基板是通過共晶鍵合法制備而成，銅和陶瓷之間沒有粘結(jié)材料，在高溫服役過程中，往往會因為銅和陶瓷(Al2O3或AlN)之間的熱膨脹系數(shù)不同而產(chǎn)生較大的熱應(yīng)力，從而導(dǎo)致銅層從陶瓷表面剝離，因此傳統(tǒng)的DBC陶瓷基板已經(jīng)難以滿足高溫、大功率、高散熱、高可靠性的封裝要求[4,5]。而Si3N4-AMB覆銅基板則是利用活性金屬元素(Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等)可以潤濕陶瓷表面的特性，將銅層通過活性金屬釬料釬焊在Si3N4陶

2022-09-13 http:///Article/danhuagui(Si3N4)-AMB.html
[常見問題]氮化硅覆銅板的優(yōu)勢

氮化硅覆銅板的優(yōu)勢氮化硅覆銅板也叫氮化硅陶瓷覆銅板，是氮化硅陶瓷和銅結(jié)合的產(chǎn)物。氮化硅覆銅板綜合優(yōu)勢突出，在很多產(chǎn)品領(lǐng)域備受歡迎。今天就來看看，氮化硅覆銅板的優(yōu)勢和應(yīng)用。氮化硅覆銅板因為采用的氮化硅陶瓷和銅的結(jié)合力，不僅具備陶瓷的特性，經(jīng)過覆銅后，電氣性能更好。氮化硅覆銅板通常采用AMB活性釬焊工藝制作，金屬結(jié)合力高。氮化硅覆銅板的優(yōu)勢：一，氮化硅覆銅板熱循環(huán)好，金屬結(jié)合力強。氮化硅覆銅板是AMB技術(shù)加工的氮化硅陶瓷覆銅板熱循環(huán)次數(shù)可達5000次以上，可見使用壽命較長，而且氮化硅AMB覆銅板比其他工藝覆銅板具備更好的銅層結(jié)合力。氮化硅覆銅板銅層結(jié)合力是28N/mm，優(yōu)于同一工藝氮化鋁覆銅板（結(jié)合力18n/mm），以及DBC陶瓷覆銅板（結(jié)合力15n/mm）。二，氮化硅覆銅板強度高，

2022-05-14 http:///Article/danhuaguifutongbanys.html
[常見問題]氮化硅覆銅板需要檢測哪些性能

氮化硅覆銅板需要檢測哪些性能氮化硅陶瓷覆銅板材質(zhì)是氮化硅陶瓷基片，工藝是AMB活性釬焊工藝，氮化硅陶瓷覆銅板具有高強度性、高導(dǎo)熱性、高銅層結(jié)合力、高熱循環(huán)性性能優(yōu)勢。檢測氮化硅覆銅板一般從這幾項核心性能檢測開始。一，檢測氮化硅覆銅板高強度性能氮化硅覆銅板基材晶體是Si3N4，是一種共價鍵化合物，是結(jié)構(gòu)非常堅固的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，具備高強度特征。氮化硅覆銅板的高強度性體現(xiàn)在抗彎強度，經(jīng)過檢測抗彎強度在700MPa以上，則說明強度較高，復(fù)合要求。二，檢測氮化硅覆銅板導(dǎo)熱性氮化硅覆銅板導(dǎo)熱性，比氮化鋁覆銅板導(dǎo)熱低一些，導(dǎo)熱系數(shù)在85W~95W之間，耐高溫1300度以上。三，檢測氮化硅覆銅板銅層結(jié)合力氮化硅覆銅板銅層結(jié)合力比較高，經(jīng)過AMB工藝制作的氮化硅陶瓷覆銅板銅層結(jié)合力在28N/mm以上。四，檢

2022-03-21 http:///Article/danhuaguifutongbanxu.html
[常見問題]IGBT高導(dǎo)熱氮化鋁氮化硅陶瓷基板等高端陶瓷pcb的應(yīng)用和現(xiàn)狀

隨著新能源汽車、高鐵、風(fēng)力發(fā)電和5G基站的快速發(fā)展，這些新產(chǎn)業(yè)所用的大功率IGBT對新一代高強度的氮化硅陶瓷基板需求巨大，日本的京瓷和美國羅杰斯等公司都可以批量生產(chǎn)和提供覆銅蝕刻的氮化硅陶瓷基板；國內(nèi)起步較晚，近幾年大學(xué)研究機構(gòu)和一些企業(yè)都在加快研發(fā)并取得較大進展，其導(dǎo)熱率大于等于90Wm/k，抗彎強度大于等于700mpa，斷裂韌性大于等于6.5mpa1/2；但是距離產(chǎn)業(yè)化還有一定距離。今天小編要分享的是IGBT高導(dǎo)熱氮化鋁氮化硅陶瓷基板等高端陶瓷pcb的應(yīng)用和現(xiàn)狀。

2019-07-09 http:///Article/IGBTgaodaoredanhualv.html

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