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[行業(yè)動(dòng)態(tài)]高壓大功率IGBT模塊首選封裝材料——AMB陶瓷基板

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是在金屬氧化物場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極晶體管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型復(fù)合功率器件，具有輸入阻抗大、驅(qū)動(dòng)功率小、開關(guān)速度快、工作頻率高、飽和壓降低、安全工作區(qū)大和可耐高電壓和大電流等一系列優(yōu)點(diǎn)，大規(guī)模應(yīng)用于電動(dòng)汽車、電力機(jī)車?yán)锏碾姍C(jī)驅(qū)動(dòng)以及并網(wǎng)技術(shù)、儲(chǔ)能電站、工業(yè)領(lǐng)域的高壓大電流場合的交直流電轉(zhuǎn)換和變頻控制等領(lǐng)域，是電力電子領(lǐng)域中最重要的大功率器件，是綠色經(jīng)濟(jì)的核“芯”。

2024-03-18 http:///Article/gaoyadagonglvIGBTmok.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]陶瓷基板助力高功率器件散熱消暑

電路板被很多人譽(yù)為電子產(chǎn)品之母，它是計(jì)算機(jī)、手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品的關(guān)鍵部件，在醫(yī)療、航空、新能源、汽車等行業(yè)有著廣泛應(yīng)用。縱觀全球技術(shù)發(fā)展簡史，每一次技術(shù)進(jìn)步都直接或間接影響著全人類。在電路板誕生之前，電子設(shè)備都包含許多電線，它們不僅會(huì)糾纏在一起，占用大量空間，而且短路的情況也不罕見。這個(gè)問題對(duì)于電路相關(guān)的工作人員來說是個(gè)非常頭疼的問題。1925年，來自美國的Charles Ducas提出了一個(gè)前所未有的想法，即在絕緣基板上印刷電路圖案，隨后進(jìn)行電鍍以制造用于布線的導(dǎo)體，專業(yè)術(shù)語“PCB”由此而來，這種方法使制造電器電路變得更為簡單。

2023-08-25 http:///Article/taocijibanzhuligaogo.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]陶瓷基板—過去與未來!

電路板被很多人譽(yù)為電子產(chǎn)品之母，它是計(jì)算機(jī)、手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品的關(guān)鍵部件，在醫(yī)療、航空、新能源、汽車等行業(yè)有著廣泛應(yīng)用?？v觀發(fā)展簡史，每一次技術(shù)進(jìn)步都直接或間接影響著全人類。在電路板誕生之前，電子設(shè)備都包含許多電線，它們不僅會(huì)糾纏在一起，占用大量空間，而且短路的情況也不罕見。這個(gè)問題對(duì)于電路相關(guān)的工作人員來說是個(gè)非常頭疼的問題。

2023-07-12 http:///Article/taocijibanguoquyuwei.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]制備高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板的影響因素淺析

氮化硅在綜合性能方面表現(xiàn)最優(yōu)，這無疑是一種非常理想的散熱性能良好的基板材料。目前國內(nèi)市場上，氧化鋁和氮化鋁陶瓷基片已經(jīng)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，但高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷作為商用電子器件的基板材料仍是一大難題，只有國外的一些公司可以實(shí)現(xiàn)氮化硅陶瓷基板商業(yè)化，那到底是什么因素阻礙了這么優(yōu)秀的的陶瓷基板發(fā)展呢？這就得從氮化硅獨(dú)特的化學(xué)成分和微觀結(jié)構(gòu)說起。晶格氧對(duì)高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷的影響氮化硅的主要傳熱機(jī)制是晶格振動(dòng)，通過聲子來傳導(dǎo)熱量。晶格振動(dòng)并非是線性的，晶格間有著一定的耦合作用，聲子間會(huì)發(fā)生碰撞，使聲子的平均自由程減小。另外，Si3N4晶體中的各種缺陷、雜質(zhì)以及晶粒界面都會(huì)引起聲子的散射，也等效于聲子平均自由程減小，從而降低熱導(dǎo)率?！锜Y(jié)體的典型微觀結(jié)構(gòu)研究表明，在諸多晶格缺陷中，晶格氧是影響氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的主要缺陷之一。氧原

2023-03-10 http:///Article/zhibeigaodaoredanhua.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]AMB陶瓷基板在IGBT上的應(yīng)用介紹

根據(jù)封裝結(jié)構(gòu)和應(yīng)用要求，陶瓷基板可分為平面陶瓷基板和三維陶瓷基板兩大類。再根據(jù)實(shí)現(xiàn)陶瓷基板覆銅后再刻蝕的不同工藝，當(dāng)前較普遍的陶瓷散熱基板分為 HTCC、LTCC、DBC、DPC、AMB 等。AMB 工藝因可靠性更優(yōu)，逐漸成為主流應(yīng)用。其中 Al2O3陶瓷基板主要采用 DBC 工藝，AlN 陶瓷基板主要采用DBC 和AMB工藝，Si3N4陶瓷基板更多采用 AMB 工藝

2023-03-08 http:///Article/AMBtaocijibanzaiIGBT.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]高導(dǎo)熱率氮化硅散熱陶瓷基板材料的研究進(jìn)展

摘要：針對(duì)越來越明顯的大功率電子元器件的散熱問題，主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進(jìn)展。對(duì)影響氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的因素、制備高熱導(dǎo)率氮化硅陶瓷的方法、燒結(jié)助劑的選擇、以及氮化硅陶瓷機(jī)械性能和介電性能等方面的最新研究進(jìn)展作了詳細(xì)論述，最后總結(jié)了高熱導(dǎo)率氮化硅作為散熱基板材料的發(fā)展趨勢。引言隨著我國高鐵、航天、軍工等領(lǐng)域的快速發(fā)展，未來對(duì)大功率電力電子器件的需求也將越來越大。為了適應(yīng)更加復(fù)雜、苛刻的應(yīng)用條件，大功率電力電子器件朝著高溫、高頻、低功耗以及智能化、模塊化、系統(tǒng)化方向發(fā)展，這對(duì)整個(gè)電子器件的散熱提出了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，而功率器件中基板的作用是吸收，芯片產(chǎn)生的熱量，并傳到熱沉上，實(shí)現(xiàn)與外界的熱交換，所以制備高熱導(dǎo)率基板材料成為研發(fā)大功率模塊電子產(chǎn)品的關(guān)鍵所在。例如目前大功率 LED 的發(fā)光效率僅有

2022-12-09 http:///Article/gaodaorelvdanhuaguis.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]高導(dǎo)熱率碳化硅陶瓷五大燒結(jié)方法

目前，氮化硅陶瓷的燒結(jié)方法主要有反應(yīng)燒結(jié)法（RS）、熱壓燒結(jié)法（HPS）、常壓燒結(jié)發(fā)（PLS）和氣壓燒結(jié)法（GPS）等。1反應(yīng)燒結(jié)法制備氮化硅最早的使用方法。先將硅粉和粘結(jié)劑通過干壓、等靜壓方法成型后，再在1200-1500°C溫度條件下氮化燒結(jié)得到氮化硅陶瓷。反應(yīng)燒結(jié)法具有燒結(jié)前后線收縮率低、成本低的優(yōu)點(diǎn)，但也有致密度小，力學(xué)性能差的缺點(diǎn)。適合制造形狀復(fù)雜，尺寸精確的零件。在實(shí)驗(yàn)中按名義組成Si3N4>80wt.%，（Y2O3+La2O3）<20wt.%加入Si粉和La2O3粉進(jìn)行混合成型。然后在1200-1500°C下反應(yīng)燒結(jié)，并將反應(yīng)燒結(jié)的初置于氣壓燒結(jié)爐內(nèi)，在1-9MPa壓力和1900°C的條件下保溫三小時(shí)，制備了氮化硅陶瓷。并檢驗(yàn)了其熱導(dǎo)率，在1000°C時(shí)熱導(dǎo)率為19.43W/（m.k

2022-12-07 http:///Article/gaodaorelvtanhuaguit.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]高導(dǎo)熱率氧化硅陶瓷的影響因素（二）

高導(dǎo)熱率氮化硅陶瓷是獲得高導(dǎo)熱率氮化硅散熱基板的前提，而影響氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的因素很多。例如，氮化硅陶瓷的致密度、相阻度、燒結(jié)時(shí)晶種的加入、晶格氧含量、晶粒的尺寸、形狀排列方式等都對(duì)氮化硅陶瓷的趙得率有著巨大的影響。在制備氮化硅陶瓷中，反應(yīng)物中的孔隙率為12%-25%了，而氣體的熱導(dǎo)率一般較低，故致密度越大，孔隙率越低，熱導(dǎo)率越高。氮化硅具有α和β 兩種晶體相，其中相中的氧含量高于β相中的氧含量，而氧雜質(zhì)對(duì)聲子具有散射的作用，因此氮化硅陶瓷中β/α的值越大，熱導(dǎo)率越高。當(dāng)燒結(jié)高熱導(dǎo)率氮化硅陶瓷時(shí)，在 Si?N4原料中加入尺寸較大的β-Si?N4晶種，為 β-Si?N4。晶粒的結(jié)晶提供晶核，將晶界相逐漸排擠進(jìn)入多晶交界處，從而提高熱導(dǎo)率： Naoto , Hirosaki 等用β一Si?N4 作為原料，研究添加

2022-12-05 http:///Article/gaodaorelvyanghuagui.html
[常見問題]amb陶瓷基板用在什么地方

amb陶瓷基板用在什么地方 amb陶瓷基板是活性釬焊工藝陶瓷基板，具有高熱導(dǎo)率、耐高溫、較低的熱膨脹系數(shù)、高的機(jī)械強(qiáng)度、耐腐蝕以及絕緣性好、抗輻射的優(yōu)點(diǎn)。在電子器件封裝中得到廣泛應(yīng)用，適應(yīng)半導(dǎo)體器件不斷走向大功率，小型化，集成化和多功能方面前進(jìn)。Amb技術(shù)的優(yōu)勢AMB技術(shù)是在DBC（直接覆銅法）技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的。相比于傳統(tǒng)的DBC基板，采用AMB工藝制備的陶瓷基板，不僅具有更高的熱導(dǎo)率、更好的銅層結(jié)合力，而且還有熱阻更小、可靠性更高等優(yōu)勢。Amb陶瓷基板有哪些陶瓷材料根據(jù)陶瓷材質(zhì)的不同，目前成熟應(yīng)用的AMB陶瓷基板可分為：氧化鋁、氮化鋁和氮化硅基板。氧化鋁amb陶瓷基板考慮到導(dǎo)熱系數(shù)不高，散熱能力有限，但是成本較低，一般用于

2022-07-16 http:///Article/ambtaocijibanyongzai.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]氮化硅陶瓷基板應(yīng)力新的發(fā)展前景

氮化硅陶瓷基板應(yīng)力新的發(fā)展前景最近幾年，氮化鎵、碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料在我國得到了大力發(fā)展，要使用第三代半導(dǎo)體材料生產(chǎn)出大功率半導(dǎo)體器件，如果沒有功率集成電路陶瓷基板，半導(dǎo)體器件的散熱效果將會(huì)大大降低、降低該器件的使用效果。陶瓷基板性能以及各類陶瓷基板性能參數(shù)對(duì)比：由于陶瓷基板具有延展性低和韌性低、耐高溫；較高的氣密性，可隔離水汽、氧氣和灰塵等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用到功率集成電路中。目前應(yīng)用于陶瓷基板的陶瓷材料主要有:氧化鈹(BeO)、氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)和碳化硅(SiC)等。無論是高鐵、新能源汽車、高端機(jī)床、風(fēng)力、光伏逆變，還是高端手機(jī)、消費(fèi)電子以及各種自動(dòng)化設(shè)備都需要電子電力集成電路進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，這是一個(gè)超千億級(jí)的大市場。在這個(gè)超級(jí)大市場中，功

2022-03-21 http:///Article/danhuaguitaocijibany.html
[常見問題]氮化硅的雙層鈍化減反射膜比單層減反射膜對(duì)比效果

氮化硅的雙層鈍化減反射膜比單層減反射膜對(duì)比效果氮化硅陶瓷的應(yīng)用隨著技術(shù)需要越來越多，在交通軌道、電力、新能源汽車電子、光伏設(shè)備、功率半導(dǎo)體器件、太陽能電池等方面廣泛應(yīng)用。今天小編主要講述氮化硅陶瓷在太陽電池制造的運(yùn)用。氮化硅薄膜作為表面介質(zhì)層在傳統(tǒng)晶硅太陽電池制造中被廣泛應(yīng)用，它能夠很好地鈍化多晶硅片表面及體內(nèi)的缺陷和減少入射光的反射。氮化硅膜層中硅的含量增高，折射率和消光系數(shù)均相應(yīng)增高，隨之氮化硅對(duì)光的吸收就會(huì)增強(qiáng)，所以高折射率、高消光系數(shù)的薄膜不適合作為減反膜；但是相應(yīng)地增加硅的含量，表面鈍化作用呈現(xiàn)增強(qiáng)趨勢。為了兼顧氮化硅膜層的鈍化和減反射效果，對(duì)于多晶太陽電池普遍采用雙層氮化硅膜的減反射膜層，即先淀積一層高折射率的氮化硅可以更好地鈍化太陽電池的表面，然后生長

2022-01-21 http:///Article/danhuaguideshuangcen.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]氮化硅陶瓷基板材料發(fā)展走向普及化需要幾步？

氮化硅陶瓷基板材料發(fā)展走向普及化需要幾步？一，氮化硅陶瓷基板材料的研究背景：我國軍工航天、高鐵重工等領(lǐng)域的飛速發(fā)展，促使各項(xiàng)科技行業(yè)對(duì)大功率電子器件的需求逐步加大。為適應(yīng)更為苛刻復(fù)雜的應(yīng)用條件，大功率電子器件必須朝著耐高溫、高頻、低功耗及智能化、系統(tǒng)化、模塊化的方向發(fā)展。延伸到功率器件的組成部件上來看，其中基板的作用就是吸收芯片產(chǎn)生的熱量，并將熱量傳到熱沉上，由此實(shí)現(xiàn)與外界的熱交換。因此制備高熱導(dǎo)率基板材料成為研發(fā)大功率模塊電子產(chǎn)品的關(guān)鍵所在。大功率散熱基板材料要求具有低成本、高電絕緣性、高穩(wěn)定性、高導(dǎo)熱性及與芯片匹配的熱膨脹系數(shù)（CTE）、平整性和較高的強(qiáng)度等。為了滿足這些要求，研究人員將目光投向了金屬氧化物、陶瓷、聚合物以及復(fù)合材料等。被實(shí)

2022-01-15 http:///Article/danhuaguitaocijibanc.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]AMB基板將成為大功率IGBT和第三代半導(dǎo)體模塊封裝核心需求

大功率IGBT和第三代半導(dǎo)體封裝基板是用DBC基板好呢還是用AMB基板好，AMB基板具有更好導(dǎo)熱性能的同時(shí)，熱循環(huán)非常好，熱阻小，可以成載更大電流和電壓等。未來amb陶瓷基板將成為大功率IGTB和第三代半導(dǎo)體模塊封裝基板的“香餑餑”。

2022-01-06 http:///Article/AMBjibanjiangchengwe.html
[常見問題]氮化硅陶瓷的特點(diǎn)以及結(jié)構(gòu)特性

氮化硅陶瓷的特點(diǎn)和優(yōu)勢：高性能氮化硅陶瓷具有優(yōu)異的耐高溫、高強(qiáng)度、高絕緣、耐磨損與耐腐蝕等優(yōu)良性能，子航天航空、軌道交通、電子、醫(yī)藥等高端裝備制造領(lǐng)域廣泛用于軸承滾動(dòng)體、絕緣零部件、特種構(gòu)件等，已經(jīng)成為傳統(tǒng)工業(yè)改造、新興產(chǎn)業(yè)和高新技術(shù)中必不可少的重要材料。氮化硅陶瓷同時(shí)具有高抗熱震性、高抗氧化性、無毒等特點(diǎn)，被認(rèn)為是一種很有潛力的高速電路和大功率器件散熱和封裝材料。二，氮化硅陶瓷的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)氮化硅陶瓷具有以下結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：1，平均原子量?。?，原子鍵合強(qiáng)度高3，晶體結(jié)構(gòu)較為簡單，4，晶體非諧性振動(dòng)低。居于以上結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，氮化硅陶瓷將會(huì)成為高熱導(dǎo)率陶瓷家族的一員。1）原料的選擇氮化硅具有兩種晶型：α-SiN4、β

2021-04-27 http:///Article/danhuaguitaocidetedi.html
[常見問題]高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板導(dǎo)熱率的現(xiàn)狀和發(fā)展

風(fēng)力發(fā)電、混合動(dòng)力汽車、LED照明等領(lǐng)域以為環(huán)保的要求，電子器件中的散熱基板提出了更高的要求，傳統(tǒng)的陶瓷基板如AlN、Al2O3、BeO熱導(dǎo)率和力學(xué)性能等也不是很完美，市場的發(fā)展需要自然會(huì)使得某一種產(chǎn)品成為發(fā)展趨勢。

2021-04-13 http:///Article/gaodaoredanhuaguitao.html
[常見問題]AMB陶瓷基板的優(yōu)勢、可靠性及其應(yīng)用

第三代半導(dǎo)體的崛起和發(fā)展推動(dòng)了功率器件尤其是半導(dǎo)體器件不斷走向大功率，小型化，集成化和多功能方面前進(jìn)，對(duì)封裝基板性能提升起到了很大的促進(jìn)作用。陶瓷基板也是陶瓷電路板在電子器件封裝中得到廣泛應(yīng)用主要是緣于陶瓷基板具有高熱導(dǎo)率、耐高溫、較低的熱膨脹系數(shù)、高的機(jī)械強(qiáng)度、耐腐蝕以及絕緣性好、抗輻射的優(yōu)點(diǎn)。陶瓷基板工藝有很多種，除了DPC、DBC、HTCC、LTCC之外，還有目前備受關(guān)注的AMB（Active Metal Bonding）技術(shù)，即活性金屬釬焊技術(shù)。一，什么是活性金屬釬焊技術(shù)？AMB技術(shù)是指，在800℃左右的高溫下，含有活性元素Ti、Zr的AgCu焊料在陶瓷和金屬的界面潤濕并反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)陶瓷與金屬異質(zhì)鍵合的一種工藝技術(shù)。AMB陶瓷基板，一般是這樣制作的：首先通過絲網(wǎng)印刷法在陶瓷板材的表面涂覆上

2021-02-26 http:///Article/AMBtaocijibandexingn.html
[常見問題]氮化硅陶瓷覆銅基板的可靠性決定了它的市場定位

氮化硅具有高熱導(dǎo)率,低熱阻,高抗彎強(qiáng)度,高斷裂韌性,耐高溫,耐磨損,耐腐蝕等一系列優(yōu)異的物理特性,因此,其正逐漸成為寬禁帶大功率半導(dǎo)體器件首選的基板材料.氮化硅陶瓷覆銅基板優(yōu)異的高可靠性使其成為高鐵,電動(dòng)汽車等領(lǐng)域功率模塊最有前途的基板材料之一。也正因此奠定了氮化硅覆銅陶瓷基板的可靠性和市場地位。 1，氮化硅陶瓷覆銅基板的制作工藝高性能氮化硅陶瓷粉體的特性對(duì)氮化硅陶瓷覆銅基板的成型，燒結(jié)以及最終的性能有很大的影響作用。目前氮化硅陶瓷覆銅基板只有日本廠商具備量產(chǎn)能力,國內(nèi)進(jìn)口困難,阻礙了相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展.采用氣壓燒結(jié)實(shí)現(xiàn)了高性能氮化硅陶瓷基板的制備,并通過活性金屬釬焊工藝獲得了氮化硅陶瓷

2020-12-18 http:///Article/danhuaguitaocifutong.html
[常見問題]三大特種陶瓷覆銅板導(dǎo)熱及應(yīng)用

在軍用功率器件和民用電力電子器件封裝領(lǐng)域，需要能載大電流的器件。銅箔具有極高的載流能力和散熱能力，適合用作大功率器件封裝基板的導(dǎo)體。而特種陶瓷由于耐高壓能力強(qiáng)，被用作封裝基板的載體。氧化鋁陶瓷、氮化鋁陶瓷、氮化硅陶瓷是三大重要的陶瓷基板。

2020-04-30 http:///Article/sandatezhongtaocifut.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]氮化鋁陶瓷基板在IGBT模塊的深度研究

電動(dòng)汽車、電力機(jī)車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域需要實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和控制的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)作為電力電子器件。氮化鋁陶瓷覆銅板既具有陶瓷的高導(dǎo)熱性、高電絕緣性、高機(jī)械強(qiáng)度、低膨脹等特性，又具有無氧銅的高導(dǎo)電性和優(yōu)異的焊接性能，是IGBT模塊封裝的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。本文采用直接覆銅工藝(DBC)和活性金屬焊接工藝(AMB)制備了氮化鋁陶瓷覆銅板，對(duì)比了兩種工藝的異同點(diǎn)和制備的氮化鋁陶瓷覆銅板的性能差異，并指出氮化硅陶瓷覆銅板有望在下一代功率模塊上廣泛應(yīng)用。

2020-01-14 http:///Article/danhualvtaocijibanzd.html
[常見問題]陶瓷基板廠家分享氮化硅陶瓷及其與金屬的結(jié)合技術(shù)

高性能氮化鋁陶瓷具有優(yōu)異的耐高溫。高強(qiáng)度、高絕緣、耐磨損與耐腐蝕等優(yōu)良性能，在航空航天、軌道交通、電子、醫(yī)藥等高端裝備制造領(lǐng)域廣泛用于軸承滾動(dòng)體、絕緣零部件、特種結(jié)構(gòu)件等，已經(jīng)成為傳統(tǒng)工業(yè)改造、新興產(chǎn)業(yè)和高新技術(shù)中心不可少的重要材料。

2019-08-24 http:///Article/taocijibanchangjiafe.html

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