專(zhuān)注陶瓷電路板研發(fā)生產(chǎn)
樣板、中小批量陶瓷pcb線(xiàn)路板,24小時(shí)加急定制
全國(guó)定制熱線(xiàn)
4000-806-106
當(dāng)前位置:首頁(yè) »全站搜索 » 搜索:AIN多層陶瓷基板
AIN多層陶瓷基板如何實(shí)現(xiàn)一體化封裝多層陶瓷基板憑借其靈活布線(xiàn)、三維集成等優(yōu)勢(shì)廣泛應(yīng)用于航空航天、衛(wèi)星通訊等射頻領(lǐng)域。為了實(shí)現(xiàn)電子整機(jī)向高密度,小型化,輕量化的方向發(fā)展,越來(lái)越多的電路組件使用多層陶瓷基板封裝一體化封裝技術(shù)(integrated substrate package,ISP)以實(shí)現(xiàn)模塊化和器件化。AIN多層陶瓷基板是如何實(shí)現(xiàn)一體化封裝的呢?一,為何要實(shí)現(xiàn)一體化封裝技術(shù)AlN多層陶瓷相比較于低溫共燒陶瓷和Al2O3共燒陶瓷來(lái)說(shuō),其導(dǎo)熱系數(shù)高,熱膨脹系數(shù)與Si更接近。伴隨著電子設(shè)備的集成度大幅提高,電路中單位面積所散發(fā)的熱量不斷增大,系統(tǒng)對(duì)散熱要求也越來(lái)越高。二,了解一下AlN一體化封裝工藝結(jié)構(gòu) 1、AlN陶瓷基板制備流程ALN多層陶瓷基板的制備流程與傳統(tǒng)低溫共燒
2022-10-12 http:///Article/AINduocengtaocijiban.html
高溫共燒氮化鋁陶瓷多層基板適應(yīng)功率MCM的要求 一,AIN氮化鋁陶瓷多層基板在功率MCM有廣闊的發(fā)展前景電子設(shè)備向輕型、小型化、高密度、高可靠性發(fā)展,多芯片組裝得到快速發(fā)展。多層布線(xiàn)技術(shù)是多芯片的核心技術(shù)之一,隨著組裝密度的提高,IC芯片集成的提高,多芯片組裝的密度也越來(lái)越大,功率MCM產(chǎn)生。功率MCM要求多層基板材料具有熱導(dǎo)率高、熱膨脹系數(shù)與硅接近等三個(gè)重要特征。AIN氮化鋁陶瓷因?yàn)榫邆錈釋?dǎo)率高、熱膨脹系數(shù)與硅接近,力學(xué)強(qiáng)度高、電性能優(yōu)良等綜合型優(yōu)點(diǎn)。是功率MCM首先的基板材料和封裝材料。由于AIN與SI熱膨脹系數(shù)相接近、使得AIN基板與SI產(chǎn)生的熱應(yīng)力小。AIN克服了三氧化二鋁與SI熱膨脹系數(shù)不匹配的缺點(diǎn),采用AIN做基板具備更好的可靠性。由于AIN熱阻比三氧化二鋁低,所
2021-10-30 http:///Article/gaowengongshaodanhua.html
? 2018 深圳市金瑞欣特種電路技術(shù)有限公司版權(quán)所有 技術(shù)支持:金瑞欣