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[行業(yè)動(dòng)態(tài)]高壓大功率IGBT模塊首選封裝材料——AMB陶瓷基板

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是在金屬氧化物場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極晶體管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型復(fù)合功率器件，具有輸入阻抗大、驅(qū)動(dòng)功率小、開關(guān)速度快、工作頻率高、飽和壓降低、安全工作區(qū)大和可耐高電壓和大電流等一系列優(yōu)點(diǎn)，大規(guī)模應(yīng)用于電動(dòng)汽車、電力機(jī)車?yán)锏碾姍C(jī)驅(qū)動(dòng)以及并網(wǎng)技術(shù)、儲(chǔ)能電站、工業(yè)領(lǐng)域的高壓大電流場合的交直流電轉(zhuǎn)換和變頻控制等領(lǐng)域，是電力電子領(lǐng)域中最重要的大功率器件，是綠色經(jīng)濟(jì)的核“芯”。

2024-03-18 http:///Article/gaoyadagonglvIGBTmok.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]一文搞懂陶瓷基板DPC，AMB，HTCC，DBC等工藝技術(shù)

首先了解陶瓷基板與陶瓷基片的區(qū)別，特性優(yōu)勢，陶瓷基板制造五大工藝知識(shí)，以及工藝特點(diǎn)進(jìn)行分析，行業(yè)展望，最后我們學(xué)習(xí)一下華科大對(duì)陶瓷基板科研知識(shí)案例分享

2023-11-06 http:///Article/yiwengaodongtaocijib.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]全球陶瓷基板市場規(guī)模穩(wěn)步增長！

陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄復(fù)合基板具有優(yōu)良電絕緣性能，高導(dǎo)熱特性，優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強(qiáng)度，并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形，具有很大的載流能力。因此，陶瓷基板已成為大功率電力電子電路結(jié)構(gòu)技術(shù)和互連技術(shù)的基礎(chǔ)材料。

2023-11-03 http:///Article/quanqiutaocijibanshi.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]以后都不要再問HTCC，LTCC，DBC，DPC，AMB都是什么了！

陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄復(fù)合基板具有優(yōu)良電絕緣性能，高導(dǎo)熱特性，優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強(qiáng)度，并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形，具有很大的載流能力。因此，陶瓷基板已成為大功率電力電子電路結(jié)構(gòu)技術(shù)和互連技術(shù)的基礎(chǔ)材料。

2023-10-20 http:///Article/dbctaocijiban.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]陶瓷基板市場預(yù)計(jì)未來3年大增94.27%，國產(chǎn)化需求強(qiáng)烈

陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄復(fù)合基板具有優(yōu)良電絕緣性能，高導(dǎo)熱特性，優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強(qiáng)度，并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形，具有很大的載流能力。因此，陶瓷基板已成為大功率電力電子電路結(jié)構(gòu)技術(shù)和互連技術(shù)的基礎(chǔ)材料。

2023-10-09 http:///Article/taocijibanshichangyu.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]AMB陶瓷基板：高端IGBT模塊基板的應(yīng)用新趨勢

IGBT陶瓷襯板屬于新的工藝技術(shù)，其中AMB工藝技術(shù)的陶瓷襯板也逐步應(yīng)用于新能源汽車的IGBT模塊上。IGBT散熱對(duì)于功率模塊的性能是非常重要的，目前國內(nèi)的IGBT模塊大部分還是采用DBC工藝，但隨著工作電壓、性能要求的不斷提升，AMB工藝技術(shù)的陶瓷基板能更好地解決上述痛點(diǎn)。

2023-08-02 http:///Article/AMBtaocijibangaoduan.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]陶瓷基板工藝簡介

在電子陶瓷封裝中，陶瓷基板除了為電路和芯片提供結(jié)構(gòu)支撐和電氣互連，還必須為其提供良好的熱處理以確保正常工作。

2023-07-17 http:///Article/taocijibangongyijian.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]先進(jìn)陶瓷正逐步推動(dòng)諸多高技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展

先進(jìn)陶瓷已逐步成為新材料的重要組成部分，成為許多高技術(shù)領(lǐng)域發(fā)展的重要關(guān)鍵材料，備受各工業(yè)發(fā)達(dá)國家的極大關(guān)注，其發(fā)展在很大程度上也影響著其他工業(yè)的發(fā)展和進(jìn)步。由于先進(jìn)陶瓷特定的精細(xì)結(jié)構(gòu)和其高強(qiáng)、高硬、耐磨、耐腐蝕、耐高溫、導(dǎo)電、絕緣、磁性、透光、半導(dǎo)體以及壓電、鐵電、聲光、超導(dǎo)、生物相容等一系列優(yōu)良性能，被廣泛應(yīng)用于國防、化工、冶金、電子、機(jī)械、航空、航天、生物醫(yī)學(xué)等國民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域。

2023-06-25 http:///Article/xianjintaocizhengzhu.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]除了陶瓷基板，IGBT模塊還有哪些主要材料？（實(shí)物圖）

IGBT是一種新型的電力電子器件，其基本結(jié)構(gòu)是在晶體管的基極和發(fā)射極之間加入絕緣層以及一個(gè)控制電極。

2023-06-12 http:///Article/chuliaotaocijibanIGB.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]AMB Si3N4 陶瓷基板在高功率半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用

功率電子器件在電力存儲(chǔ)，電力輸送，電動(dòng)汽車，電力機(jī)車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過程中將會(huì)產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時(shí)有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會(huì)受到影響，嚴(yán)重的話，功率電子器件本身會(huì)被破損。這就要求擔(dān)負(fù)絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機(jī)械性能和導(dǎo)熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導(dǎo)熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機(jī)械性能，AMB Si3N4陶瓷基板備受矚目。1、Si3N4 為何要用AMB工藝目前功率半導(dǎo)體器件所用的陶瓷基板多為DBC（Direct Bond Copper，直接覆銅）工藝，Al2O3與ZTA等氧化物陶瓷以及AlN可使用DBC技術(shù)與銅接合：將無氧銅經(jīng)熱氧化或化學(xué)氧化制程于表面產(chǎn)生一Cu2O層，于1065~

2023-03-22 http:///Article/AMBSi3N4taocijibanza.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]制備高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板的影響因素淺析

氮化硅在綜合性能方面表現(xiàn)最優(yōu)，這無疑是一種非常理想的散熱性能良好的基板材料。目前國內(nèi)市場上，氧化鋁和氮化鋁陶瓷基片已經(jīng)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，但高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷作為商用電子器件的基板材料仍是一大難題，只有國外的一些公司可以實(shí)現(xiàn)氮化硅陶瓷基板商業(yè)化，那到底是什么因素阻礙了這么優(yōu)秀的的陶瓷基板發(fā)展呢？這就得從氮化硅獨(dú)特的化學(xué)成分和微觀結(jié)構(gòu)說起。晶格氧對(duì)高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷的影響氮化硅的主要傳熱機(jī)制是晶格振動(dòng)，通過聲子來傳導(dǎo)熱量。晶格振動(dòng)并非是線性的，晶格間有著一定的耦合作用，聲子間會(huì)發(fā)生碰撞，使聲子的平均自由程減小。另外，Si3N4晶體中的各種缺陷、雜質(zhì)以及晶粒界面都會(huì)引起聲子的散射，也等效于聲子平均自由程減小，從而降低熱導(dǎo)率。▲氮化硅燒結(jié)體的典型微觀結(jié)構(gòu)研究表明，在諸多晶格缺陷中，晶格氧是影響氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的主要缺陷之一。氧原

2023-03-10 http:///Article/zhibeigaodaoredanhua.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]AMB陶瓷基板在IGBT上的應(yīng)用介紹

根據(jù)封裝結(jié)構(gòu)和應(yīng)用要求，陶瓷基板可分為平面陶瓷基板和三維陶瓷基板兩大類。再根據(jù)實(shí)現(xiàn)陶瓷基板覆銅后再刻蝕的不同工藝，當(dāng)前較普遍的陶瓷散熱基板分為 HTCC、LTCC、DBC、DPC、AMB 等。AMB 工藝因可靠性更優(yōu)，逐漸成為主流應(yīng)用。其中 Al2O3陶瓷基板主要采用 DBC 工藝，AlN 陶瓷基板主要采用DBC 和AMB工藝，Si3N4陶瓷基板更多采用 AMB 工藝

2023-03-08 http:///Article/AMBtaocijibanzaiIGBT.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]導(dǎo)熱絕緣材料在碳化硅模塊封裝中的應(yīng)用

隨著電力電子器件向高溫、高電壓、高頻率和大電流方向快速發(fā)展。器件封裝的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)也逐漸朝著微型化及高功率密度方向演變。圖1為三菱SiC電力電子器件雙面封裝拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其中與電力電子器件相匹配的封裝材料，無論是起支撐作用的電路板（金屬絕緣基板）、起電氣連接作用的互聯(lián)材料（燒結(jié)銀焊接）、起絕緣和環(huán)境保護(hù)作用的包封材料（環(huán)氧灌封料）還是起散熱作用的界面熱導(dǎo)材料，都對(duì)電力電子器件的電氣性能、抗電磁干擾特性、熱特性、器件的效率及可靠性等影響顯著，是電力電子器件領(lǐng)域除芯片本身之外的另一核心部分。典型的IGBT電力電子模塊的封裝結(jié)構(gòu)如圖2所示，其中需要具備絕緣功能的材料主要包括：電氣隔離和支撐芯片用的電路板材料、隔絕空氣和保護(hù)芯片用的絕緣灌封材料、外殼材料以及填充熱沉和散熱底板間隙用的界面熱導(dǎo)材料。本文基于當(dāng)前Si基和下一代

2023-03-03 http:///Article/daorejueyuancailiaoz.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]高導(dǎo)熱率氮化硅散熱陶瓷基板材料的研究進(jìn)展

摘要：針對(duì)越來越明顯的大功率電子元器件的散熱問題，主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進(jìn)展。對(duì)影響氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的因素、制備高熱導(dǎo)率氮化硅陶瓷的方法、燒結(jié)助劑的選擇、以及氮化硅陶瓷機(jī)械性能和介電性能等方面的最新研究進(jìn)展作了詳細(xì)論述，最后總結(jié)了高熱導(dǎo)率氮化硅作為散熱基板材料的發(fā)展趨勢。引言隨著我國高鐵、航天、軍工等領(lǐng)域的快速發(fā)展，未來對(duì)大功率電力電子器件的需求也將越來越大。為了適應(yīng)更加復(fù)雜、苛刻的應(yīng)用條件，大功率電力電子器件朝著高溫、高頻、低功耗以及智能化、模塊化、系統(tǒng)化方向發(fā)展，這對(duì)整個(gè)電子器件的散熱提出了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，而功率器件中基板的作用是吸收，芯片產(chǎn)生的熱量，并傳到熱沉上，實(shí)現(xiàn)與外界的熱交換，所以制備高熱導(dǎo)率基板材料成為研發(fā)大功率模塊電子產(chǎn)品的關(guān)鍵所在。例如目前大功率 LED 的發(fā)光效率僅有

2022-12-09 http:///Article/gaodaorelvdanhuaguis.html
[常見問題]氮化硅AMB陶瓷基板的制備流程

氮化硅AMB陶瓷基板的制備流程氮化硅陶瓷基板能量損耗、更容易小型化、更耐高溫高壓的優(yōu)勢在新能源汽車方面?zhèn)涫軞g迎，能起到提速、增加續(xù)航里程、汽車輕量化的目的；同時(shí)氮化硅AMB陶瓷基板還是SiC器件封裝基板的首選，傳統(tǒng)的DBC陶瓷基板已經(jīng)難以滿足高溫、大功率、高散熱、高可靠性的封裝要求，DBC基板和氮化硅器件，在高溫過程中容易產(chǎn)生熱應(yīng)力，導(dǎo)致銅層剝離，采用氮化硅AMB陶瓷基板能夠小避免。本文要闡述的是氮化硅AMB陶瓷基板的特點(diǎn)以及制備流程。一，氮化硅AMB陶瓷基板的特點(diǎn)Si3N4-AMB覆銅基板則是利用活性金屬元素（Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等）可以潤濕陶瓷表面的特性，將銅層通過活性金屬釬料釬焊在Si3N4陶瓷板上。通過活性金屬釬焊（AMB

2022-10-19 http:///Article/danhuaguiAMBtaocijib.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進(jìn)展

氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進(jìn)展隨著第三代SiC基功率模塊器件的功率密度和工作溫度不斷升高，器件對(duì)于封裝基板的散熱能力和可靠性也提出了更高的要求[1,2,3]。以往被廣泛使用的直接覆銅(Direct-Bonding-Copper，DBC)陶瓷基板是通過共晶鍵合法制備而成，銅和陶瓷之間沒有粘結(jié)材料，在高溫服役過程中，往往會(huì)因?yàn)殂~和陶瓷(Al2O3或AlN)之間的熱膨脹系數(shù)不同而產(chǎn)生較大的熱應(yīng)力，從而導(dǎo)致銅層從陶瓷表面剝離，因此傳統(tǒng)的DBC陶瓷基板已經(jīng)難以滿足高溫、大功率、高散熱、高可靠性的封裝要求[4,5]。而Si3N4-AMB覆銅基板則是利用活性金屬元素(Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等)可以潤濕陶瓷表面的特性，將銅層通過活性金屬釬料釬焊在Si3N4陶

2022-09-13 http:///Article/danhuagui(Si3N4)-AMB.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]氮化硅陶瓷基板為何會(huì)成為第三代半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)封裝材料

氮化硅陶瓷基板為何會(huì)成為第三代半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)封裝材料隨著國家對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的大力支持，以及第三代半導(dǎo)體科技行業(yè)的快速發(fā)展，氮化硅陶瓷覆銅基板成為第三代半導(dǎo)體器優(yōu)質(zhì)的封裝材料。今天小編就來分享一下，氮化硅陶瓷基板哪些優(yōu)勢能被第三代半導(dǎo)體選擇和應(yīng)用。一，氮化硅陶瓷基板有著與其他陶瓷基板獨(dú)特的優(yōu)勢陶瓷基板材料憑借其極好的耐高溫、耐腐蝕、熱導(dǎo)率高、機(jī)械強(qiáng)度高、熱膨脹系數(shù)與芯片相匹配及不易劣化等特性成為大功率、高密度、高溫及高頻器件封裝的首選。目前應(yīng)用于陶瓷基板的陶瓷材料主要有：氧化鈹（BeO）、氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）和碳化硅（SiC）等。近年來，電子電力器件朝大功率、高頻化、高密度、集成化等方向發(fā)展，對(duì)器件中陶瓷散熱基板提出了更高要求。與AlN和Al2O3陶瓷基板材料相比，Si

2022-08-24 http:///Article/danhuaguitaocijibanwei.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]分析氮化硅陶瓷基板被應(yīng)用到新能源汽車的緣由

分析氮化硅陶瓷基板被應(yīng)用到新能源汽車的緣由新能源汽車對(duì)陶瓷散熱基板有更高的要求目前，對(duì)保護(hù)環(huán)境和節(jié)約能源的呼聲高漲，使得國內(nèi)的新能源電動(dòng)汽車倍受關(guān)注。大功率封裝器件在調(diào)控汽車速度和儲(chǔ)存-轉(zhuǎn)換交流和直流上發(fā)揮著決定性作用。而高頻率的熱循環(huán)對(duì)電子封裝的散熱提出了嚴(yán)格的要求，同時(shí)工作環(huán)境的復(fù)雜性和多元性需要封裝材料具有較好的抗熱震性和高強(qiáng)度來起到支撐作用。此外，隨著以高電壓、大電流和高頻化為主要特征的現(xiàn)代電力電子技術(shù)的高速發(fā)展，應(yīng)用于該技術(shù)的功率模塊散熱效率更成為了關(guān)鍵。電子封裝系統(tǒng)中的陶瓷基板材料是高效散熱的關(guān)鍵，同時(shí)為了應(yīng)對(duì)工作環(huán)境的復(fù)雜化也應(yīng)具有高強(qiáng)度和高可靠性。各大主流陶瓷基板材料分析-氮化硅陶瓷基板是新能源汽車基板首選：近年來已經(jīng)大規(guī)模生產(chǎn)、應(yīng)用較為廣泛的陶瓷基板主要有：Al2O3

2022-05-04 http:///Article/fenxidanhuaguitaocijb.html
[常見問題]不同陶瓷基板材料表面金屬化處理怎么做

不同陶瓷基板材料表面金屬化處理怎么做陶瓷和金屬是最古老的兩類有用材料，陶瓷材料具有耐高溫、高強(qiáng)度、高硬度、耐磨損、耐腐蝕、電絕緣強(qiáng)度高等特性，而金屬材料具有優(yōu)良的延展性、導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性，它們各自的廣泛用途在這里就不多贅述了。那么，將陶瓷材料與金屬材料結(jié)合起來，能不能在性能上形成優(yōu)勢互補(bǔ)，從而延伸、拓展各自的研究領(lǐng)域呢？陶瓷與金屬的連接件在新能源汽車、電子電氣、半導(dǎo)體封裝和IGBT模塊等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，因此，具有高強(qiáng)度、高氣密性的陶瓷與金屬的封接工藝至關(guān)重要。兩者的封接工藝中最大的難點(diǎn)是陶瓷和金屬的熱膨脹系數(shù)相差較大，金屬對(duì)陶瓷表面的潤濕效果比較差，兩者無法實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的直接連接，故而首先需要在陶瓷上燒結(jié)或沉積一層金屬薄膜，這一過程為陶瓷的金屬化。

2022-03-30 http:///Article/butongtaocijibancail.html
[常見問題]Si3N4陶瓷斷裂韌性受哪些因素影響

Si3N4陶瓷斷裂韌性受哪些因素影響Si3N4陶瓷作為一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料，具備優(yōu)異的力學(xué)和抗熱震性能(在空氣中加熱至1000℃以上，再急劇驟冷急劇加熱也不會(huì)碎裂)。由于Si3N4具備優(yōu)異的綜合性能，已被廣泛應(yīng)用于冶金、宇航、能源、機(jī)械、軍事技術(shù)、光學(xué)和玻璃工業(yè)等領(lǐng)域。Si3N4是強(qiáng)共價(jià)鍵化合物，具有高的原子結(jié)合強(qiáng)度，表現(xiàn)出優(yōu)異的綜合性能。此外，由于共價(jià)鍵具有方向性和飽和性，由共價(jià)鍵組成的Si3N4陶瓷滑移系很少，通常在產(chǎn)生滑移前就發(fā)生斷裂，導(dǎo)致Si3N4陶瓷表現(xiàn)出明顯的脆性特點(diǎn)。Si3N4陶瓷的斷裂韌性低，對(duì)材料內(nèi)部的局部裂紋非常敏感，已成為Si3N4陶瓷的致命缺點(diǎn)，嚴(yán)重影響了其使用壽命和可靠性，極大限制了其應(yīng)用范圍。那么影響Si3N4陶瓷斷裂韌性的因素有哪些呢？原料粉

2022-03-25 http:///Article/Si3N4taociduanlieren.html

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