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功率電子器件在電力存儲(chǔ),電力輸送,電動(dòng)汽車(chē),電力機(jī)車(chē)等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化,芯片在工作過(guò)程中將會(huì)產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時(shí)有效地發(fā)散出去,功率電子器件的工作性能將會(huì)受到影響,嚴(yán)重的話(huà),功率電子器件本身會(huì)被破損。這就要求擔(dān)負(fù)絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機(jī)械性能和導(dǎo)熱性能。由于氮化硅(Si3N4)陶瓷的高導(dǎo)熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機(jī)械性能,AMB Si3N4陶瓷基板備受矚目。1、Si3N4 為何要用AMB工藝目前功率半導(dǎo)體器件所用的陶瓷基板多為DBC(Direct Bond Copper,直接覆銅)工藝,Al2O3與ZTA等氧化物陶瓷以及AlN可使用DBC技術(shù)與銅接合:將無(wú)氧銅經(jīng)熱氧化或化學(xué)氧化制程于表面產(chǎn)生一Cu2O層,于1065~
2023-03-22 http:///Article/AMBSi3N4taocijibanza.html
si3n4 amb基板和鋁基板比較si3n4 amb基板即amb氮化硅陶瓷基板,是氮化硅陶瓷基片經(jīng)過(guò)amb加工工藝后形成具備高電氣性能、高強(qiáng)度、低膨脹系數(shù)等綜合性能的陶瓷基板,那么si3n4 amb基板和鋁基板比較有什么優(yōu)勢(shì)?1,兩者材料不同,導(dǎo)熱性不同si3n4 amb基板(amb氮化硅陶瓷基板)是陶瓷材料,具有非常高導(dǎo)熱性,氮化硅陶瓷導(dǎo)熱性在80w~90w之間,機(jī)械強(qiáng)度高,耐腐蝕、絕緣性好等綜合特征。鋁基板采用的是鋁基片,是有機(jī)材料,韌性較好,但是導(dǎo)熱性能較差,一般導(dǎo)熱系數(shù)只有1~3w,哪怕做成雙面鋁基板采用導(dǎo)熱膠,導(dǎo)熱效果依舊不及AMB氮化硅陶瓷基板。2,兩者制作工藝不同si3n4 amb基板(amb氮化硅陶瓷基板)與鋁基板制作工藝不同,amb氮化硅
2022-06-16 http:///Article/si3n4ambjibanhelvjib.html
陶瓷基板充分利用到多芯片電源模塊 在工業(yè)設(shè)備、新能源、汽車(chē)、鐵路牽引對(duì)多芯片電源模塊有特定要求,電壓、電流的參數(shù)要求需要利用陶瓷基板,本文主要講述了各領(lǐng)域氧化鋁(Al2O3)DBC基板起的重要作用。
2021-06-09 http:///Article/taocijibanchongfenli.html
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