AMB陶瓷覆銅基板行業(yè)前景

 AMB活性金屬釬焊載板與傳統(tǒng)的DCB覆銅陶瓷基板相比，具有更高的可靠性、更強(qiáng)的力學(xué)性能、更好的絕緣性能，與芯片良好匹配的熱膨脹系數(shù)。已成為第三代半導(dǎo)體和新型高壓大功率電力電子器件的首選封裝材料，有廣闊的應(yīng)用前景。金瑞欣小編主要講述AMB陶瓷覆銅基板行業(yè)前景和發(fā)展趨勢(shì)。

一，電力、電動(dòng)汽車、通訊G站、高鐵對(duì)AMB陶瓷基板需求增加

AMB活性金屬釬焊半導(dǎo)體功率模塊具有更高的可靠性、更強(qiáng)的力學(xué)性能、更好的絕緣性能和與芯片良好匹配的熱膨脹系數(shù)，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、風(fēng)力發(fā)電、高鐵、5G基站等對(duì)性能要求苛刻的電力電子及大功率電子模塊上。AMB活性釬焊半導(dǎo)體模塊以及AMB陶瓷覆銅載板需求增加。未來(lái)國(guó)產(chǎn)將解除國(guó)際壁壘的封鎖，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體巨頭紛紛投產(chǎn)AMB活性載板封裝以及大功率半導(dǎo)體模組封裝。

二，AMB活性釬焊陶瓷基板是DBC陶瓷覆銅基板升級(jí)功能性更加突出

據(jù)測(cè)試AMB氮化硅陶瓷基板熱循環(huán)次數(shù)大于等于5000次；AMB氮化鋁陶瓷基板大

于等于1500次；AMB陶瓷覆銅基板金屬結(jié)合力強(qiáng)，金屬剝離強(qiáng)度最低17.16n/mm，最高28n/mm.其中AMB氮化硅陶瓷覆銅基板，銅層剝離強(qiáng)度平均在28N/mm以上，氧化鋁AMB陶瓷覆銅基板銅層剝離強(qiáng)度在21n/mm以上，amb氮化鋁陶瓷覆銅基板，金屬剝離強(qiáng)度在16.78n/mm以上。DBC陶瓷覆銅基板普通金屬剝離強(qiáng)度是8~10n/mm，AMB陶瓷覆銅基板比DBC陶瓷基板具備更好的熱循環(huán)性和金屬結(jié)合力更強(qiáng)，加上熱膨脹系數(shù)與硅基板更加接近，更加復(fù)合大功率IGBT載板的導(dǎo)熱、絕緣、應(yīng)力小、可靠性強(qiáng)，壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)。

      三 不斷增大的市場(chǎng)應(yīng)用和市場(chǎng)需求

目前，高鐵上的大功率器件控制模塊中AMB基板逐漸成為主流應(yīng)用；另外，在風(fēng)能、光伏、電動(dòng)汽車也開始得到越來(lái)越多的應(yīng)用，而在第三代半導(dǎo)體中，針對(duì)SiC基/GaN基三代半導(dǎo)體器件高頻、高溫、大功率的應(yīng)用需求，為實(shí)現(xiàn)大功率電力電子器件高密度三維模塊化封裝，DBC基板無(wú)法滿足需求，AMB更是首選的模塊封裝材料；另外，據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈調(diào)研，AMB技術(shù)也將應(yīng)用于激光雷達(dá)等領(lǐng)域，應(yīng)用范圍不斷逐漸擴(kuò)大；

 AMB基板市場(chǎng)需求空間快速增長(zhǎng)，據(jù)我們測(cè)算，不考慮激光雷達(dá)等其他領(lǐng)域，僅在IGBT和SIC領(lǐng)域來(lái)看，2018年斯達(dá)收入6.75億，采購(gòu)4890萬(wàn)的的DBC基板，2021年預(yù)計(jì)全球500億IGBT市場(chǎng)，合計(jì)需求接近40億的DBC基板；預(yù)計(jì)2025年全球1000億IGBT/SIC市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)500億。假設(shè)AMB滲透率達(dá)到50%，且價(jià)格假設(shè)是DBC的2倍（當(dāng)前價(jià)格差數(shù)倍，考慮規(guī)模量產(chǎn)后價(jià)差縮?。瑒t對(duì)應(yīng)2025年全球和國(guó)內(nèi)AMB基板分別為80億元、40億元。

 如此可以看出，AMB陶瓷覆銅基板未來(lái)市場(chǎng)是一片藍(lán)海，有著廣泛的市場(chǎng)需求和前景。更多AMB陶瓷基板的相關(guān)問(wèn)題可以咨詢金瑞欣特種電路，金瑞欣十年多行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，三年多陶瓷基板pcb制作經(jīng)驗(yàn)，值得信賴。