在新能源汽車市場暴增刺激下，碳化硅模塊上車的進程大幅超過市場預期，AMB陶瓷基板優(yōu)異導熱和抗彎性能已經成為SiC芯片最佳封裝材料。根據市場研究機構的數(shù)據顯示，全球AMB覆銅陶瓷基板市場規(guī)模從2016年的約10億美元增長到2020年的約15億美元，年復合增長率為7.5%左右。預計到2025年，全球AMB覆銅陶瓷基板市場規(guī)模將達到約20億美元，年復合增長率為5.5%左右。

相較于主流的DBC工藝，AMB 陶瓷基板結合強度更高且更耐高溫，目前高鐵、新能源汽車、光伏等領域對于電壓等級的要求逐步提升，AMB基板由于自身的穩(wěn)定性以及耐高溫屬性較為契合高溫、高電壓工作環(huán)境，認為未來AMB基板將逐漸成為主流。

目前，全球范圍內有能力量產AMB基板的公司較少，國內份額幾乎被海外公司占據，全球巨頭公司包括美國羅杰斯、德國亨利氏、KCC和部分日企，國內產能相對較少。但隨著SiC上車提速，正促使上游SiC產業(yè)鏈企業(yè)加快發(fā)展，帶動AMB受益獲得快速發(fā)展。國內AMB基板企業(yè)瞄準市場，迅速入局，加速下游客戶認證，積極擴產。

AMB陶瓷線路板是用活性金屬釬焊漿料將銅箔真空釬焊到陶瓷板上，經過高精度蝕刻工藝制成。AMB陶瓷線路板具有可靠性高、載流量大、散熱性能高、機械性憂等特點，是第三代半導體功率器件（IGBT、MOSFET等）關鍵封裝材料。

應用領域&市場背景

陶瓷線路板按照工藝分為 DPC（直接電鍍銅）、DBC（直接鍵合銅）、AMB（活性金屬焊接）、LTCC（低溫共燒陶瓷）、HTCC（高溫共燒陶瓷）等類型。材料方面目前國內主流的陶瓷基板材料主要為氧化鋁、氮化鋁和氮化硅，其中氧化鋁最為常見，其通常采用DBC覆銅工藝；氮化鋁陶瓷基板導熱效率較高，主要采用DBC和AMB工藝；氮化硅主要采用AMB工藝制作。

隨著第三代半導體的快速崛起，功率器件朝著集成化、小型化、高功率化等方向發(fā)展，對封裝用線路板提出更高的需求。AMB陶瓷線路板因為其高可靠、高導熱、高載流、高耐壓等眾多優(yōu)點成為第三代半導體功率器件的首選封裝材料。采用AMB工藝的氮化鋁陶瓷線路板（AMB-AlN）主要用于高鐵、高壓變換器、直流送電等高壓、高電流功率半導體中；采用AMB工藝的氮化硅陶瓷線路板（AMB-SiN）主要應用在電動汽車和混合動力車功率半導體中。

隨著800V高壓車型在未來幾年內滲透率快速提升，新能源汽車將成為AMB陶瓷線路板最大應用場景，疊加軌道交通、工業(yè)、軍工和光伏領域需求持續(xù)增長，預計2027年全球AMB線路板需求將達到90億元左右，其中半數(shù)需求將來自中國大陸。

AMB陶瓷基板用Ag基粉體及其焊膏產品，產品具有氧含量低、純凈度高、球形度高的特點。

目前，全球范圍內有能力量產AMB陶瓷線路板的公司較少，國內市場份額幾乎都被美國、德國和日本的少數(shù)企業(yè)所壟斷；國內有能力量產AMB陶瓷線路板的公司較少，有能力根據客戶不同需求進行正向開發(fā)的公司更少。

AMB相關的多方面研究，在釬焊漿料研制、高精度蝕刻、表面狀態(tài)處理、AMB核心裝備等方面。