一、直接鍍銅DPC工藝簡介

其工藝流程為：首先利用激光在陶瓷基片上制備通孔（孔徑一般為60μm~120μm），隨后利用超聲波清洗陶瓷基片；采用磁控濺射技術(shù)在陶瓷基片表面沉積金屬種子層（Ti/Cu靶材），接著通過光刻、顯影完成線路層制作；采用電鍍填空和增厚金屬線路層，并通過表面處理提高基板可焊性與抗氧化性，最后去干膜、刻蝕種子層完成基板制備。

此外，利用DPC陶瓷基板的技術(shù)優(yōu)勢（高圖形精度、垂直互連等），可以通過電鍍增厚等技術(shù)制備圍壩，可得到含圍壩結(jié)構(gòu)的三維陶瓷基板，例如武漢利之達(dá)采用電鍍鍵合、免燒陶瓷直接成型等技術(shù)制備含金屬或陶瓷圍壩的三維陶瓷基板（3DPC）。陶瓷基板和圍壩一體化成型為密封腔體，結(jié)構(gòu)緊湊，無中間粘結(jié)層，氣密性高，且圍壩結(jié)構(gòu)形狀可任意設(shè)計(jì)，目前已經(jīng)成功應(yīng)用與深紫外LED封裝和VCSEL激光器封裝。

二、DPC陶瓷基板的應(yīng)用

激光器為激光設(shè)備核心部件，高功率半導(dǎo)體激光器主要通過熱沉散熱。氮化鋁陶瓷熱沉（DPC工藝）為目前主流激光熱沉基板，可滿足高功率半導(dǎo)體激光芯片鍵合的需求，在光通信、高功率 LED 封裝、半導(dǎo)體激光器和光纖激光器泵浦源制造等領(lǐng)域應(yīng)用前景廣闊。車載激光雷達(dá)光源 VCSEL 替代 EEL 大勢所趨，DPC 陶瓷基板在高功率 VCSEL 封裝中占據(jù)重要地位。