IGBT功率器件墊板都采用什么基材陶瓷基板

IGBT功率器件是電子電力裝置的“CPU”，在交通軌道、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車和新能源裝備應(yīng)用領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。 IGBT功率器件需要具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點，那么它的電路基板則需要用到導熱性好的陶瓷基板，什么樣的基材的陶瓷基板適合用于IGBT呢？

一，氧化鋁陶瓷基板

      氧化鋁陶瓷基板導熱性穩(wěn)定，導熱系數(shù)25w~30w,高頻性能穩(wěn)定，絕緣性好。適合功率要求不是太高，載流量一般的IGBT器件。傳統(tǒng)的IGBT模塊中，氧化鋁精密陶瓷基板是最常用的精密陶瓷基板，具有好的絕緣性、好的化學穩(wěn)定性、好的力學性能和低的價格。

二，氮化鋁陶瓷基板

      氮化鋁陶瓷基板導熱性非常突出，導熱系數(shù)170W以上，載流量大，適合在高功率、高電流產(chǎn)品的IGBT應(yīng)用商品上面。氮化鋁精密陶瓷基板在熱特性方面具有非常高的熱導率，散熱快、高電絕緣性；在應(yīng)力方面，熱膨脹系數(shù)與硅接近，整個模塊內(nèi)部應(yīng)力較低；又具有無氧銅的高導電性和優(yōu)異的焊接性能，是IGBT模塊封裝的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。提高了高壓IGBT模塊的可靠性。這些優(yōu)異的性能都使得氮化鋁覆銅板成為高壓IGBT模塊封裝的首選。

三，氮化硅陶瓷基板

      IGBT的質(zhì)量決定著整車的能源效率，對電導率和熱導率要求較高，氮化硅陶瓷基板以其獨特的性能在IGBT模塊封裝中占據(jù)優(yōu)勢地位，逐步替代其他基板。未來隨著新能源汽車市場規(guī)模不斷擴大，氮化硅陶瓷基板還有很大的發(fā)展空間，潛力巨大。電動汽車等產(chǎn)品，除了考慮耐高溫，還會考慮到使用壽命，因此在汽車CPU控制器，汽車逆變器、減振器會用到碳化硅陶瓷覆銅板。

四，碳化硅陶瓷基板

      碳化硅陶瓷功率器件的功率定位在1KW-500KW之間，工作頻率在10KHz-100MHz之間。特別適用于對能效和空間尺寸要求較高的應(yīng)用，如電動汽車充電器、充電樁、光伏逆變器、高速鐵路、智能電網(wǎng)、工業(yè)電源等可逐步替代硅基MOSFET和IGBT。同樣碳化硅陶瓷覆銅板子在光伏系統(tǒng)、傳輸系統(tǒng)、交通軌道方面應(yīng)用。更多陶瓷基板的應(yīng)用可以咨詢金瑞欣特種電路。