近年來，隨著新能源行業(yè)的迅猛發(fā)展，半導體功率模塊得到了廣泛的應用。功率模塊一般應用在大功率大電壓環(huán)境中，相較于通常的電子應用領域，其對載板的電流載流能力、絕緣耐壓能力、以及高效散熱能力有著更高的要求。而覆銅陶瓷基板的高載流、高耐壓、高散熱的特點，恰好滿足了功率模塊的應用需求。

覆銅陶瓷基板按工藝分可以一般可分為DBC(Direct bonded copper直接覆銅陶瓷基板)、DPC(Direct plated copper，直接電鍍陶瓷基板)、AMB(Active metal brazing，活性金屬釬焊陶瓷基板)等。其中DBC和AMB覆銅陶瓷基板在半導體功率模塊中被大量應用。

DBC陶瓷基板?  

DBC陶瓷基板一般是在Al2O3陶瓷上直接覆銅。首先需要將銅箔(Cu)做氧化處理，然后將Al2O3陶瓷片和處理后的銅箔壓合，銅箔在1065°C形成CuO共晶相，進而與Al2O3陶瓷片發(fā)生反應生成CuAO2或Cu(AO2)2，實現(xiàn)銅箔與陶瓷間共晶鍵合。如果是AlN陶瓷，則需要預先在AlN陶瓷表面做氧化處理，生成Al2O3，再進行覆銅。

其工藝流程如下圖所示。