01

優(yōu)異的絕緣性能

 陶瓷基板的關(guān)鍵優(yōu)勢之一在于其出色的絕緣性能。這個(gè)特性在電子封裝中至關(guān)重要，因?yàn)樗_保電子元件保持隔離并受到外部影響的保護(hù)。陶瓷基板具有高電阻性，防止漏電和短路的作用，從而提高了電子設(shè)備的整體可靠性。

02

低介電常數(shù)

 陶瓷基板具有低介電常數(shù)，在電子封裝中具有極大優(yōu)勢。介電常數(shù)決定了材料儲存電能的能力。由于具有低介電常數(shù)，陶瓷基板能夠最小化信號損失和干擾，實(shí)現(xiàn)電路內(nèi)電信號的高效傳輸。這一特性在高頻應(yīng)用中尤為關(guān)鍵，信號完整性至關(guān)重要。

03

低熱膨脹系數(shù)

陶瓷基板的低熱膨脹系數(shù)是另一個(gè)顯著的優(yōu)勢。當(dāng)電子設(shè)備受到溫度變化影響時(shí)，具有高熱膨脹系數(shù)的材料可能會出現(xiàn)顯著的尺寸變化，導(dǎo)致機(jī)械應(yīng)力和潛在故障。陶瓷基板具有低熱膨脹系數(shù)，尺寸變化極小，確保了電子元件在不同熱條件下的結(jié)構(gòu)完整性和可靠性。

04

高熱導(dǎo)率

熱管理在電子封裝中至關(guān)重要，過多的熱量會降低電子元件的性能和壽命。陶瓷基板在這方面表現(xiàn)出色，具有高熱導(dǎo)率。這一特性能夠有效散熱，防止熱量積聚，確保電子設(shè)備的最佳工作條件。在需要大量熱量產(chǎn)生的應(yīng)用中，如功率電子和高功率放大器，高熱導(dǎo)率尤為寶貴。

05

 出色的氣密性

氣密性或保持無滲透密封的能力，在某些電子封裝應(yīng)用中是至關(guān)重要的要求。陶瓷基板具有出色的氣密性，防止水分、氣體和污染物的進(jìn)入，這些物質(zhì)可能會降低敏感電子元件的性能和可靠性。這一特性使陶瓷基板非常適用于需要高度防護(hù)環(huán)境因素的應(yīng)用。

06

化學(xué)穩(wěn)定性

 在許多行業(yè)中，電子設(shè)備可能會遇到惡劣和腐蝕性的環(huán)境。陶瓷基板以其卓越的化學(xué)穩(wěn)定性為這種情況提供了堅(jiān)固的解決方案。它們具有抗化學(xué)反應(yīng)的能力，確保即使在惡劣條件下，電子元件的長壽命和可靠性。這一特性在航空航天、汽車和工業(yè)應(yīng)用中尤為寶貴，這些應(yīng)用中暴露于化學(xué)品和侵蝕性物質(zhì)是常見的。

01

氧化鋁

氧化鋁，也稱為氧化鋁（Al2O3），是電子工業(yè)中廣泛使用的陶瓷基板材料。它呈現(xiàn)出純白色，具有良好的綜合性能，包括良好的電絕緣性、高熱導(dǎo)率、機(jī)械強(qiáng)度和耐化學(xué)性。氧化鋁基板多才多藝，適用于從消費(fèi)類電子到功率模塊等廣泛范圍的電子設(shè)備中。

02

氮化鋁

氮化鋁（AlN）被認(rèn)為是高度集成的半導(dǎo)體基板和電子封裝的理想材料，因?yàn)樗哂凶吭降臒釋?dǎo)率、良好的電絕緣性、低介電常數(shù)以及與硅的熱膨脹系數(shù)的接近匹配。這些特性使氮化鋁基板非常適用于需要有效散熱的應(yīng)用，如高功率LED、激光二極管和功率電子設(shè)備。氮化鋁呈灰白色，因此與氧化鋁基板很容易區(qū)分。

03

硅氮化物

硅氮化物（Si3N4）具有出色的機(jī)械性能，包括高強(qiáng)度和斷裂韌性。它還具有低熱膨脹系數(shù)，可以與其他材料（如硅）相容。這些特性使硅氮化物基板成為高強(qiáng)度電子器件基板的有吸引力的選擇，這些器件需要機(jī)械強(qiáng)度和高熱導(dǎo)率。

04

碳化硅

碳化硅（SiC）以其出色的綜合性能脫穎而出，包括高熱導(dǎo)率、良好的抗氧化性和優(yōu)異的電絕緣性。這些特性使SiC基板適用于需要散熱關(guān)鍵的應(yīng)用，如高功率電子、電動車功率模塊和高溫傳感器。然而，SiC的高介電常數(shù)和低抗壓強(qiáng)度限制了其在高密度封裝中的使用。

05

氧化鈹

氧化鈹（BeO）具有高熱導(dǎo)率和優(yōu)異的電特性，使其成為需要高效散熱的電子封裝應(yīng)用的吸引人選擇。然而，需要注意的是，由于其自身的毒性和高昂的生產(chǎn)成本，氧化鈹存在重要的限制。因此，其使用僅限于其獨(dú)特屬性至關(guān)重要的特定應(yīng)用領(lǐng)域。

06

硼氮化物

硼氮化物（BN）具有出色的熱穩(wěn)定性、化學(xué)穩(wěn)定性和電絕緣性能。它在各種電子封裝場景中找到了應(yīng)用，包括雷達(dá)窗口、高功率晶體管封裝和高溫環(huán)境。然而，高昂的成本和與硅不匹配的熱膨脹系數(shù)限制了硼氮化物在高熱導(dǎo)陶瓷材料中的廣泛使用。