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AMB基板將成為大功率IGBT和第三代半導(dǎo)體模塊封裝核心需求

amb基板

                                         AMB基板將成為大功率IGBT和第三代半導(dǎo)體模塊封裝核心需求

大功率IGBT和第三代半導(dǎo)體封裝基板是用DBC基板好呢還是用AMB基板好,AMB基板具有更好導(dǎo)熱性能的同時(shí),熱循環(huán)非常好,熱阻小,可以成載更大電流和電壓等。未來amb陶瓷基板將成為大功率IGTB和第三代半導(dǎo)體模塊封裝基板的“香餑餑”。

一,目前DBC基板有用在電力電子模塊中

DBC(Direct Bonding Copper,直接覆銅法)基板在電力電子模塊技術(shù)中,主要是作為各種芯片(IGBT芯片、Diode芯片、電阻、SiC芯片等)的承載體,DBC基板通過表面覆銅層完成芯片部分連接極或者連接面的連接,功能近似于PCB板,同時(shí)DBC基板還與散熱基板相連,最終把整個(gè)模塊的熱量散發(fā)出去;

,AMB成為大功率IGBT和第三代半導(dǎo)體模組的新趨勢(shì)和核心原因。

       1,從性能來看

優(yōu)異性能:以AMB SiN基板為例:

a.AMB氮化硅具有高的熱導(dǎo)率:一方面,AMB氮化硅基板具有較高的熱導(dǎo)率(>90W/mK),厚銅層(達(dá)800μm)還具有較高熱容量以及傳熱性;另一方面,活性金屬釬焊技術(shù),可將非常厚的銅金屬(厚度可達(dá)0.8mm)焊接到相對(duì)較薄的氮化硅陶瓷上。因此,載流能力較高,而且傳熱性也非常好。客戶可自定義產(chǎn)品布局,這一點(diǎn)類似于PCB電路板;

b.AMB氮化硅具有低熱膨脹系數(shù):氮化硅陶瓷的熱膨脹系數(shù)(2.4 ppm/K)較小,與硅芯片(4 ppm/K)接近,具有良好的熱匹配性。因此,AMB氮化硅基板,非常適用于裸芯片的可靠封裝,封裝后的組件不容易在產(chǎn)品的生命周期中失效;

氮化硅陶瓷基板.jpg

2,從技術(shù)原理角度看:

技術(shù)原理:AMB技術(shù)是指,在800℃左右的高溫下,含有活性元素Ti、Zr 的AgCu焊料在陶瓷和金屬的界面潤(rùn)濕并反應(yīng),從而實(shí)現(xiàn)陶瓷與金屬異質(zhì)鍵合的一種工藝技術(shù)。AMB陶瓷基板,一般是這樣制作的:首先通過絲網(wǎng)印刷法在陶瓷板材的表面涂覆上活性金屬焊料,再與無氧銅層裝夾,在真空釬焊爐中進(jìn)行高溫焊接,然后刻蝕出圖形制作電路,最后再對(duì)表面圖形進(jìn)行化學(xué)鍍;

2,應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大

       應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大:AMB(活性金屬釬焊技術(shù))是在DBC技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的,相比于傳統(tǒng)的DBC基板,采用AMB工藝制備的陶瓷基板,不僅具有更高的熱導(dǎo)率、更好的銅層結(jié)合力,而且還有熱阻更小、可靠性更高等優(yōu)勢(shì);目前,高鐵上的大功率器件控制模塊中AMB基板逐漸成為主流應(yīng)用;另外,在風(fēng)能、光伏、電動(dòng)汽車也開始得到越來越多的應(yīng)用,而在第三代半導(dǎo)體中,針對(duì)SiC基/GaN基三代半導(dǎo)體器件高頻、高溫、大功率的應(yīng)用需求,為實(shí)現(xiàn)大功率電力電子器件高密度三維模塊化封裝,DBC基板無法滿足需求,AMB更是首選的模塊封裝材料;另外,據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈調(diào)研,AMB技術(shù)也將應(yīng)用于激光雷達(dá)等領(lǐng)域,應(yīng)用范圍不斷逐漸擴(kuò)大;

大功率陶瓷覆銅板.jpg

國(guó)外市場(chǎng)如火如荼,國(guó)內(nèi)市場(chǎng)一片“藍(lán)海”

       1,AMB基板國(guó)外市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)情況:

       AMB高可靠技術(shù)仍主要掌握在日本廠商手中:由于該方法成本較高、合適的焊料較少、焊料對(duì)于焊接的可靠性影響較大,只有日本幾家公司掌握了高可靠活性金屬焊接技術(shù);例如,日本京瓷采用活性金屬焊接工藝制備出了氮化硅陶瓷覆銅基板,其耐溫度循環(huán)(-40~125 ℃)達(dá)到5000 次,可承載大于300 A 的電流,已用于電動(dòng)汽車、航空航天等領(lǐng)域;        另外上海申合熱磁,是日本FerroTec(富樂德)集團(tuán)在上海的子公司,主要從事半導(dǎo)體熱電制冷材料、覆銅陶瓷基板、電力電子模塊、NC數(shù)控機(jī)床系列產(chǎn)品、半導(dǎo)體設(shè)備洗凈工程、單晶硅片加工生產(chǎn)等新型材料的開發(fā)研究和生產(chǎn)銷售的高科技公司。主導(dǎo)產(chǎn)品陶瓷覆銅基板(DBC)和溫差電致冷材料屬于上海市重點(diǎn)發(fā)展的新材料工業(yè),其目前DBC基板營(yíng)收已經(jīng)超過5億,并且正在積極擁抱AMB基板,明年相當(dāng)部分產(chǎn)能將會(huì)轉(zhuǎn)做AMB基板。

      2,AMB基板市場(chǎng)空間快速增長(zhǎng),據(jù)我們測(cè)算,不考慮激光雷達(dá)等其他領(lǐng)域,僅在IGBT和SIC領(lǐng)域來看,2018年斯達(dá)收入6.75億,采購4890萬的的DBC基板,2021年預(yù)計(jì)全球500億IGBT市場(chǎng),合計(jì)需求接近40億的DBC基板;預(yù)計(jì)2025年全球1000億IGBT/SIC市場(chǎng),國(guó)內(nèi)500億。假設(shè)AMB滲透率達(dá)到50%,且價(jià)格假設(shè)是DBC的2倍(當(dāng)前價(jià)格差數(shù)倍,考慮規(guī)模量產(chǎn)后價(jià)差縮?。瑒t對(duì)應(yīng)2025年全球和國(guó)內(nèi)AMB基板分別為80億元、40億元。

     更多AMB陶瓷基板可以咨詢金瑞欣特種電路,未來第三代半導(dǎo)體和大功率IGBT封裝對(duì)AMB陶瓷基板需求大。金瑞欣在AMB陶瓷基板研發(fā)制作的道理上已經(jīng)很成熟,目前amb陶瓷基板以氮化鋁陶瓷基覆銅板和氮化硅陶瓷基覆銅板為主,導(dǎo)熱性好、結(jié)合力強(qiáng)、熱循環(huán)性好、熱阻小、載流量大,穩(wěn)定性和可靠性強(qiáng),歡迎咨詢。

 

    

 

 


深圳市金瑞欣特種電路技術(shù)有限公司

金瑞欣——專業(yè)的陶瓷電路板制造商

通過公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)的不懈努力,現(xiàn)已成功研發(fā)微小孔板、高精密板、難度板、微型化板、圍壩板等,具備DPC、DBC、HTCC、LTCC等多種陶瓷生產(chǎn)技術(shù),以便為更多需求的客戶服務(wù),開拓列廣泛的市場(chǎng)。

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