磁控濺射鍍膜的優(yōu)劣勢(shì)

   磁控濺射技術(shù)20世界70年代發(fā)展以來(lái)獲得了迅速的發(fā)展和廣泛的應(yīng)用，磁控濺射主要有以下優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)：

　　一，磁控濺射鍍膜技術(shù)的優(yōu)勢(shì)

1、沉積速度快、基材溫升低、對(duì)膜層的損傷小；

　　2、對(duì)于大部分材料，只要能制成靶材，就可以實(shí)現(xiàn)濺射；

　　3、濺射所獲得的薄膜與基片結(jié)合較好；

　　4、濺射所獲得的薄膜純度高、致密度好、成膜均勻性好；

　　5、濺射工藝可重復(fù)性好，可以在大面積基片上獲得厚度均勻的薄膜；

　　6、能夠控制鍍層的厚度，同時(shí)可通過(guò)改變參數(shù)條件控制組成薄膜的顆粒大?。?/span>

　　7、不同的金屬、合金、氧化物能夠進(jìn)行混合，同時(shí)濺射于基材上；

　　8、易于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化。

　　二，磁控濺射鍍膜技術(shù)的劣勢(shì)

　　1、磁控濺射所利用的環(huán)狀磁場(chǎng)迫使二次電子跳欄式地沿著環(huán)狀磁場(chǎng)轉(zhuǎn)圈。相應(yīng)地，環(huán)狀磁場(chǎng)控制的區(qū)域是等離子體密度高的部位。在磁控濺射時(shí)，可以看見(jiàn)濺射氣體——?dú)鍤庠谶@部位發(fā)出強(qiáng)烈的淡藍(lán)色輝光，形成一個(gè)光環(huán)。處于光環(huán)下的靶材是被離子轟擊嚴(yán)重的部位，會(huì)濺射出一條環(huán)狀的溝槽。環(huán)狀磁場(chǎng)是電子運(yùn)動(dòng)的軌道，環(huán)狀的輝光和溝槽將其形象地表現(xiàn)了出來(lái)。磁控濺射靶的濺射溝槽一旦穿透靶材，就會(huì)導(dǎo)致整塊靶材報(bào)廢，所以靶材的利用率不高，一般低于40％；

　　2、等離子體不穩(wěn)定；

　　3、不能實(shí)現(xiàn)強(qiáng)磁性材料的低溫高速濺射，因?yàn)閹缀跛械拇磐ǘ纪ú贿^(guò)磁性靶子，所以在靶面附近不能加外加強(qiáng)磁場(chǎng)。

伴隨著磁控濺射技術(shù)的快速發(fā)展以及對(duì)高質(zhì)量靶材的迫切需求，磁控濺射鍍膜技術(shù)需要不斷改進(jìn)制靶技術(shù)以滿足用戶對(duì)高品質(zhì)靶材的需求，在鍍膜過(guò)程中大限度的發(fā)揮磁控濺射技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，克服技術(shù)缺陷，終制備出成分均勻、性能優(yōu)異的薄膜。更多相關(guān)磁控濺射鍍膜可以咨詢金瑞欣特種電路。