高性能氮化硅陶瓷粉體的特性對(duì)氮化硅陶瓷覆銅基板的成型，燒結(jié)以及最終的性能有 很大的影響作用。目前氮化硅陶瓷覆銅基板只有日本廠商具備量產(chǎn)能力,國(guó)內(nèi)進(jìn)口困難,阻礙了相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展.采用氣壓燒結(jié)實(shí)現(xiàn)了高性能氮化硅陶瓷基板的制備,并通過活性金屬釬焊工藝獲得了氮化硅陶瓷覆銅基板.活性金屬焊接工藝也稱為AMB工藝。優(yōu)秀的活性金屬鍵合（AMB）技術(shù)性開展覆銅，比立即覆銅（DBC）具備高些的融合抗壓強(qiáng)度和熱冷循環(huán)系統(tǒng)特點(diǎn)。被廣泛運(yùn)用IGBT行業(yè)，非常是高鐵上的大電力電子器件模塊。

     氮化硅陶瓷的彎曲強(qiáng)度800 MPa，斷裂韌性8.0 MPa·m~(1/2)，熱導(dǎo)率90 W/(m·K)，交流擊穿強(qiáng)度40 kV/mm和體積電阻率3.7×10~(14)Ω·cm；氮化硅陶瓷覆銅基板的剝離強(qiáng)度達(dá)到130 N/cm。在-45~150℃高低溫循環(huán)沖擊下，氮化硅陶瓷覆銅基板的沖擊次數(shù)分別達(dá)到氮化鋁和氧化鋁覆銅基板的10倍和100倍；在銅厚0.32 mm/0.25 mm沖擊次數(shù)達(dá)5 000次和銅厚0.5 mm/0.5 mm沖擊次數(shù)達(dá)1 000次的情況下，樣品均完好無(wú)損;在銅厚0.8 mm/0.8 mm沖擊次數(shù)達(dá)500次時(shí)。樣品仍未產(chǎn)生微裂紋等缺陷,這與銅厚0.32 mm/0.25 mm時(shí)氮化鋁覆銅基板的循環(huán)次數(shù)相當(dāng)；氮化硅陶瓷覆銅基板的可靠性明顯優(yōu)于氧化鋁陶瓷覆銅基板和氮化鋁陶瓷覆銅基板。

      可見，氮化硅陶瓷基板的可靠性是比較優(yōu)越的，制作工藝也是比較先進(jìn)的，同樣的氮化硅陶瓷覆銅基板的費(fèi)用也是高于氧化鋁陶瓷覆銅基板和氮化鋁陶瓷覆銅基板的。