從四個維度充分了解氮化鋁陶瓷

氮化鋁陶瓷在電子電路方面應用廣泛，今天小編就從氮化鋁陶瓷特性、產(chǎn)品應用、介電常數(shù)、以及加工方法方面全面闡述氮化鋁陶瓷。

氮化鋁陶瓷特性

氮化鋁陶瓷 （Aluminum Nitride Ceramic）是以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷。特性導熱高、絕緣性好、介電常數(shù)低等特點。主要有以下四個性能指標：

(1)熱導率高(約320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；

(2)熱膨脹系數(shù)(4.5×10-6℃)與Si(3.5-4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；

(3)各種電性能(介電常數(shù)、介質(zhì)損耗、體電阻率、介電強度)優(yōu)良；

(4)機械性能好，抗折強度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常壓燒結；

(5)光傳輸特性好；

(6)無毒。

氮化鋁陶瓷介電常數(shù)低有什么優(yōu)勢？

一般而言，介電常數(shù)是會隨溫度變化的，在0-70度的溫度范圍內(nèi)，其最大變化范圍可以達到20%。介電常數(shù)的變化會導致線路延時10%的變化，溫度越高，延時越大。介電常數(shù)還會隨信號頻率變化，頻率越高介電常數(shù)越小。介電常數(shù)（Dk, ε，Er）決定了電信號在該介質(zhì)中傳播的速度。電信號傳播的速度與介電常數(shù)平方根成反比。介電常數(shù)越低，信號傳送速度越快。氮化鋁陶瓷的介電常數(shù)(25℃為8.8MHz)，傳輸是速度是很快的。可以和羅杰斯等高頻板材一起做成高頻陶瓷pcb。

氮化鋁陶瓷都應用在哪些領域？氮化鋁陶瓷制品都有哪些？

一 制作成氮化鋁陶瓷基片，作為陶瓷電路板的基板。

二，氮化鋁陶瓷基片，熱導率高，膨脹系數(shù)低，強度高，耐高溫，耐化學腐蝕，電阻率高，介電損耗小，是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。

三，通過AIN陶瓷的金屬化，可替代有毒性的氧化鈹瓷在電子工業(yè)中廣泛應用。

四，利用AIN陶瓷耐熱耐熔體侵蝕和熱震性，可制作GaAs晶體坩堝、Al蒸發(fā)皿、磁流體發(fā)電裝置及高溫透平機耐蝕部件，利用其光學性能可作紅外線窗口。氮化鋁薄膜可制成高頻壓電元件、超大規(guī)模集成電路基片等。

氮化鋁陶瓷用什么加工成型和燒結？

一、常見的氮化鋁陶瓷坯體成型方法

由氮化鋁粉末制備氮化鋁陶瓷坯體，需要利用成型工藝把粉體制備成坯體，然后再進行燒結工作。氮化鋁成型工藝主要有干壓成型、等靜壓成型、流延法成型和注射成型等。  

 1、干壓成型 圖2為干壓成型機。干壓成型（軸向壓制成型）是將經(jīng)表面活性劑改性等預處理的 AlN 粉體加入至金屬模具中，緩慢施加壓力使其成為致密的坯體成型工藝。實質(zhì)是借助外部施壓，依靠AlN粉末顆粒之間的相互作用力使坯體保持一定的形狀和致密度高致密坯體，其有利于陶瓷燒結，可以降低燒結溫度，提高陶瓷致密度。由于AlN粉末易水解，干壓成型中常用的水-聚乙烯醇（PVA）不能用于AlN粉末的壓制，可選用石蠟與有機溶劑代替。   

優(yōu)點：干壓成型法操作簡單，工藝環(huán)節(jié)少，效率高。 缺點：不能壓制復雜幾何形狀的坯體；需嚴格控制壓力大小，過大或過小均不利于得到高致密度AlN陶瓷燒結件。

2.,等靜壓成型

等靜壓成型是傳統(tǒng)干壓法的改進方法，將AlN 粉體置于高壓容器中，利用液體的不可壓縮性和液體對壓力傳導的特性，將粉體置于彈性材料制造的成型模具中，從不同的方向對待壓粉體進行均勻施壓，以液體對模具進行加壓而使坯體成型的方法。

優(yōu)點：坯體的致密度較高，密度分布均一，可以近凈尺寸成型； 缺點：成型設備昂貴，且存在脫模問題，限制了將其應用于大規(guī)模的工業(yè)生產(chǎn)。

      3, 流延成型

流延成型法是一種十分重要的陶瓷基片的成型工藝。將AlN 粉體與復合粘合劑（分散劑、溶劑、粘結劑和增塑劑組成）混合均勻后得到 AlN 流延料漿，除氣等過程處理后的漿料倒入料斗，經(jīng)刮刀口后，形成厚度均勻、表面光滑附著于光滑帶上的薄層，再經(jīng)干燥后制備成具有良好韌性的坯體；排膠燒結之后得到 AlN 基片材料。   

優(yōu)點：設備簡單，可以連續(xù)操作，生產(chǎn)率高，自動化程度高等； 缺點：要求較為嚴格，料漿就工藝參數(shù)的變化十分敏感，成型坯體表面粗糙且結合不充分，強度較低，干燥過程中易出現(xiàn)起泡開裂、彎曲變形等現(xiàn)象；同時流延成型只能用于片狀材料的生產(chǎn)。

        4，注射成型

 氮化鋁陶瓷注射成形是粉末注射成形應用于陶瓷粉末成型的一種方法，以塑料注射成形工藝為基礎，經(jīng)過技術改進而產(chǎn)生的成型技術。其基本過程為先在AlN粉末中加入粘結劑并使其混合均勻，形成具有粘塑性的喂料，在加熱狀態(tài)下，利用注射成型機將喂料注入模具模腔內(nèi)冷凝成型，經(jīng)過加熱去除粘結劑后，便可用于燒結，如圖3所示。喂料的流變性是影響注射成型成品質(zhì)量的一個重要因素，通常我們希望喂料粘度較低，這就要求原料粉末與粘結劑相容性要好，而且混合均勻。   

優(yōu)點：致密度高，密度分布均勻，可用于復雜形態(tài)坯體成型，且成型精度高，無需后期機械加工； 缺點：易出現(xiàn)欠注、飛邊、熔接痕、氣穴等缺陷影響AlN陶瓷燒結。   

二、常見的氮化鋁AlN燒結方法

 燒結是指陶瓷粉體經(jīng)壓力壓制后形成的素坯在高溫下的致密化過程,在燒結溫度下陶瓷粉末顆粒相互鍵聯(lián)，晶粒長大，晶界和坯體內(nèi)空隙逐漸減少，坯體體積收縮，致密度增大，直至形成具有一定強度的多晶燒結體。氮化鋁作為共價鍵化合物，難以進行固相燒結。通常采用液相燒結機制，即向氮化鋁原料粉末中加入能夠生成液相的燒結助劑，并通過溶解產(chǎn)生液相，促進燒結。AlN燒結動力：粉末的比表面能、晶格缺陷、固液相之間的毛細力等。 要制備高熱導率的AlN陶瓷，在燒結工藝中必須解決兩個問題：第一是要提高材料的致密度，第二是在高溫燒結時，要盡量避免氧原子溶入的晶格中。常見的燒結方法如下：

1，常壓燒結

常壓燒結是AlN陶瓷傳統(tǒng)的制備工藝。在常壓燒結過程中，坯體不受外加壓力作用，僅在一般氣壓下經(jīng)加熱由粉末顆粒的聚集體轉變?yōu)榫Я＝Y合體，常壓燒結是最簡單、最廣泛的的燒結方法。常壓燒結氮化鋁陶瓷一般溫度范圍為1600-2000℃，適當升高燒結溫度和延長保溫時間可以提高氮化鋁陶瓷的致密度。由于AlN為共價鍵結構，純氮化鋁粉末難以進行固相燒結，所以經(jīng)常在原料中加入燒結助劑以促進陶瓷燒結致密化。常見的燒結助劑包括堿土金屬類化合物助劑、稀土類化合物助劑等。一般情況下，常壓燒結制備AlN陶瓷需要燒結溫度高，保溫時間較長，但其設備與工藝流程簡單，操作方便。  

2、熱壓燒結

為了降低氮化鋁陶瓷的燒結溫度，促進陶瓷致密化，可利用熱壓燒結制備氮化鋁陶瓷，是目前制備高熱導率致密化AlN陶瓷的主要工藝方法之一。所謂熱壓燒結，即在一定壓力下燒結陶瓷，可以使加熱燒結和加壓成型同時進行。以25MPa高壓，1700℃下燒結4h便制得了密度為3.26g/cm3、熱導率為200W/(m.K)的AlN陶瓷燒結體，AlN晶格氧含量為0.49wt%，比1800℃下燒結8h得到的AlN燒結體的晶格氧含量（1.25wt%）低了60%多，熱導率得以提高。   

3，高壓燒結

AlN陶瓷高壓燒結與熱壓燒結類似，只不過施加的外來壓力更高，一般稱在大于1GPa高壓下進行的燒結為高壓燒結。其不僅能夠使材料迅速達到高致密度，具有細小晶粒，甚至使晶體結構甚至原子、電子狀態(tài)發(fā)生變化，從而賦予材料在通常燒結或熱壓燒結工藝下所達不到的性能。利用兩面頂高壓設備弋Y2O3為燒結助劑在5.15×109MPa、1700℃和115min高溫條件下之燒結致密度為3.343g/cm3的AlN陶瓷。相比常壓燒結，高壓燒結的AlN材料微觀機構更致密和均勻，但晶粒形貌和晶界不明顯。N. P. Bezhenar利用X光衍射分析了8GPa、2300K條件下燒結的AlN和c-BN復合材料，結果發(fā)現(xiàn)AlN晶體晶胞體積減少了0.10-0.12%，晶格參數(shù)c/a比減少到1.595-1.597（常壓下AlN的c/a為1.59955）.  

   4，氣氛燒結

氣氛燒結一般是通過AlN坯體與氣相在燒結溫度下的化學反應，使得坯體質(zhì)量增加，孔隙減少。氣氛燒結氮化鋁陶瓷是利用鋁粉在氮氣中的氮化反應形成氮化鋁粉末并在高溫下燒結在一起。氣氛燒結氮化鋁陶瓷的反應過程實質(zhì)上就是鋁粉直接氮化法制備氮化鋁粉，此反應為放熱反應并且非常劇烈。氣氛燒結法因難以得到致密的燒結體，常被用來制造坩堝等耐腐蝕、高強度的制品，但不適合制造高導熱基板。   

5、放電離子燒結

 放電離子燒結(Spark Plasma Sintering，SPS)是一種上世紀90年代發(fā)展起來且現(xiàn)已逐漸成熟的新型快速燒結技術，融合等離子活化、熱壓、電阻加熱等技術，具有燒結速度快，晶粒尺寸均勻等特點，設備示意圖見圖4。放電離子燒結除具脈沖電流通過石墨模具產(chǎn)生的焦耳熱和熱壓燒結過程中壓力造成的塑性變形等要素外，根據(jù)傳統(tǒng)燒結理論，脈沖電流還能在AlN坯體顆粒之間的尖端處產(chǎn)生電壓，并產(chǎn)生局部放電現(xiàn)象，所產(chǎn)生的等離子，撞擊顆粒表面，導致物質(zhì)蒸發(fā)，可以達到凈化顆粒表面和活化顆粒的作用。利用放電離子燒結技術在1730℃、50MPa的條件下，只用5min便可燒結出相對密度為99.3%的AlN陶瓷材料。   

6、微波燒結

微波燒結自70年代被引入陶瓷領域以來，受到研究者的廣泛關注。利用微波與介質(zhì)的相互作用產(chǎn)生介電損耗而使坯體整體加熱的燒結方法；微波同時使粉末顆?；钚蕴岣?，有利于物質(zhì)的傳遞，圖5為微波燒結爐實物圖。微波燒結也是一種快速燒結法，雖然機理有所不同，但是微波燒結與放電離子燒結都能實現(xiàn)整體加熱而極大的縮短燒結時間，并抑制晶粒生長，所得陶瓷晶體細小均勻。使用Nd2O3-CaF2-B2O3作燒結助劑，以微波在1250℃低溫燒結，可以得到熱導率為66.4W/(m?K)的AlN陶瓷。   

 以上從氮化鋁（AlN）陶瓷特性、應用、介電常數(shù)以及成型和燒結方法多方面闡述氮化鋁陶瓷。另外氮化鋁陶瓷加工要求和技術相對較高，不難知道氮化鋁陶瓷價格貴，對應的氮化鋁陶瓷制品也是不便宜的，比如用于電路的氮化鋁陶瓷基板以及陶瓷電路板。氮化鋁陶瓷具有不可替代性的作用，更多氮化鋁陶瓷基板的問題可以咨詢金瑞欣特種電路，十年行業(yè)經(jīng)驗，值得信賴。