在很多制冷設(shè)備，傳感器，led燈采用氧化鋁陶瓷電路板實現(xiàn)啊較好的散熱性能和電器性能，在行業(yè)內(nèi)備受關(guān)注。氮化鋁陶瓷電路板性能更勝一籌，在大功率模組、高頻陶瓷、以及IGBT等多用氮化鋁陶瓷基板。下面將一些氮化鋁陶瓷電路板的優(yōu)越性。

氮化鋁陶瓷基電路板是良好的耐熱沖擊材料

氮化鋁陶瓷最高可穩(wěn)定到2200℃。室溫強(qiáng)度高，且強(qiáng)度隨溫度的升高下降較慢。導(dǎo)熱性好，熱膨脹系數(shù)小，是良好的耐熱沖擊材料?？谷廴诮饘偾治g的能力強(qiáng)，是熔鑄純鐵、鋁或鋁合金理想的坩堝材料。氮化鋁還是電絕緣體，介電性能良好，用作電器元件也很有希望。砷化鎵表面的氮化鋁涂層，能保護(hù)它在退火時免受離子的注入。氮化鋁陶瓷電路板還是由六方氮化硼轉(zhuǎn)變?yōu)榱⒎降鸬拇呋瘎?。室溫下與水緩慢反應(yīng).可由鋁粉在氨或氮?dú)夥罩?00~1000℃合成，產(chǎn)物為白色到灰藍(lán)色粉末?；蛴葾l2O3-C-N2體系在1600~1750℃反應(yīng)合成，產(chǎn)物為灰白色粉末?；蚵然X與氨經(jīng)氣相反應(yīng)制得.涂層可由AlCl3-NH3體系通過氣相沉積法合成。往往我們所熟知的就是AlN+3H2O==催化劑===Al（OH）3↓+NH3↑。

AIN氮化鋁陶瓷電路板的優(yōu)越性如下：

( 1)熱導(dǎo)率高(約320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；

(2)熱膨脹系數(shù)(4.5×10-6℃)與Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；

(3)各種電性能(介電常數(shù)、介質(zhì)損耗、體電阻率、介電強(qiáng)度)優(yōu)良；

(4)機(jī)械性能好，抗折強(qiáng)度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常壓燒結(jié)；

(5)純度高；

(6)光傳輸特性好；

(7)無毒；

(8)可采用流延工藝制作。是一種很有前途的高功率集成電路基片和包裝材料。

氮化鋁陶瓷電路板優(yōu)越性能還是很出眾的，滿足了更多高集成電路的需求。更多氮化鋁陶瓷電路板的問題可以咨詢金瑞欣特種電路。