電鍍和濺射所形成的買入平面電阻是指采用電鍍方法和濺射（真空）技術(shù)來形成的埋入金屬或金屬氧化物（正控濺射）的薄膜電阻器。作為電路板廠家和技術(shù)人員是必須知曉的，今天小編詳細分享埋入電鍍和濺射平面電阻制造技術(shù)的相關(guān)知識。

（1）埋入電鍍平面電阻技術(shù)。利用常規(guī)的PCB工業(yè)，即在薄的覆銅箔板的“芯”材上，通過圖像轉(zhuǎn)移和化學蝕刻等工藝形成內(nèi)層線路并涂附上抗蝕（鍍）保護膜，但僅露出（蝕刻去銅箔）用于電鍍沉積金屬（如Ni/P合金或其它電阻性金屬等）的電鍍創(chuàng)空。然后按孔金屬化工藝來實施活化處理并形成極薄的化學銅，或者采用直接電鍍技術(shù)（如碳膜法、鈀膜法或有機導電膜等）形成電層，有必要時再電鍍上電阻性鍍覆膜層，最后除去抗蝕（鍍）膜，即可。其過程如下：

   扳面清潔→抗蝕膜→曝光→顯影→蝕刻→抗蝕→（鍍）膜→曝光→顯影→孔化與電鍍→去膜。采用這種電鍍沉積的埋入電阻，像Ohmega-ply電阻材料一樣，其買入電阻值穩(wěn)定，并可用激光進行修整（切除或切劃等），可獲得更接近于設(shè)計的埋入電阻器的電阻值（或尺寸）。但這類電鍍埋入電阻器的電阻值大多處于100?/□到300?/□之間，不適用于埋入大電阻值的場合。其理由與Ohmega-ply電阻材料一樣，因為大電阻值的電阻在PCB內(nèi)要占去很大面積（串聯(lián)后尺寸長），還會引起不希望的雜念和串擾。

（2）埋入建設(shè)電阻技術(shù)。工藝與電鍍埋入平面電阻技術(shù)一樣，即在完成內(nèi)層線路（同時蝕刻出濺射沉積電阻材料的“窗口”）的基礎(chǔ)上，采用掩膜（僅有濺射電鍍材料的“窗口”）于真空濺射裝置內(nèi)濺射（如熱金屬或金屬氧化物汽化）沉積電阻材料，又可稱為真空蒸鍍。通過濺射參數(shù)（特別是時間）來控制濺鍍電阻層厚度，濺射電阻層的尺寸和形狀則由濺射“窗口”來控制。

由于真空濺射設(shè)備的限制，而PCB電路板在制板的尺寸很大，要采用真空濺射電阻材料需要有很大的真空濺射裝置，成本高。因此， 采用真空濺射電阻材料方法大多是較小尺寸的PCB，特別適用于小尺寸的陶瓷基板的情況。

目前已有大型的真空濺射設(shè)備用于生產(chǎn)上，如采用Role-to-Role方法，在卷式撓性基材上通過大型真空濺射設(shè)備濺射沉積積極薄（≤0.1um)的銅層，接著也以卷式進入電鍍銅來達到所要求的覆銅箔厚度，采用這種方法生產(chǎn)出來聚酰亞胺（或聚酯）覆箔基材是一種無粘結(jié)層的覆銅箔基材。

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