碳化硅陶瓷用于IGBT電子封裝的9個“理由”

 IGBT高功率、高電壓、發(fā)熱量高，對封裝材要求更高；IGBT是新能源汽車的核心器件，以往IGBT除了金屬化層的基板外，底層的散熱基板通常采用銅等金屬材料，有著密度普遍偏大、導熱性能不高、熱膨脹系數(shù)不匹配等缺點，如今漸漸被一種新型金屬基復合材料鋁碳化硅（SiCp/Al、SiC/Al或者AlSiC）替代。今天小編主要分享是是碳化硅陶瓷基板在IGBT封裝應用的優(yōu)勢和理由：

 碳化硅陶瓷基板材料導熱率高、與半導體芯片、陶瓷基板熱膨脹系數(shù)匹配；剛比度高，抗震性好等優(yōu)點，設計靈活等。也是碳化硅用于IGBT電子封裝材料的原因所在。

碳化硅陶瓷基板材料核心是AlSiC，具體優(yōu)點如下：

1）AlSiC具有高導熱率（170W～200W/mK）和可調的熱膨脹系數(shù)（6.5～9.5×10-6/K），可提升器件散熱性能的同時，其熱膨脹系數(shù)與半導體芯片和陶瓷基片實現(xiàn)良好的匹配，能夠防止疲勞失效的產(chǎn)生，甚至可以將功率芯片直接安裝到AlSiC基板上；

2）AlSiC是復合材料，其熱膨脹系數(shù)等性能可通過改變其組成而加以調整，因此電子產(chǎn)品可按用戶的具體要求而靈活地設計，這是傳統(tǒng)的金屬材料或陶瓷材料無法作到的；

3）AlSiC的密度與鋁相當，比銅和Kovar輕得多，還不到Cu/W的五分之一，特別適合于便攜式器件、航空航天和其他對重量敏感領域的應用；

4）AlSiC的比剛度（剛度除以密度）是所有電子材料中最高的：是鋁的3倍，是W-Cu和Kovar的5倍，是銅的25倍，另外AlSiC的抗震性比陶瓷好，因此是惡劣環(huán)境（震動較大，如航天、汽車等領域）下的首選材料；

5）AlSiC可以大批量加工，但加工的工藝取決于碳化硅的含量，可以用電火花、金剛石、激光等加工；

6）AlSiC可以鍍鎳、金、錫等，表面也可以進行陽極氧化處理；

7）金屬化的陶瓷基片可以釬焊到鍍好的AlSiC基板上，用粘結劑、樹脂可以將印制電路板芯與AlSiC粘合；

8）AlSiC本身具有較好的氣密性；

9）AlSiC的物理性能及力學性能都是各向同性的，其產(chǎn)品性能均勻度較高。

由于AlSiC電子封裝材料及構件具有高彈性模量、高熱導率、低密度的優(yōu)點，而且可通過SiC體積分數(shù)和粘接劑添加量等來調整膨脹系數(shù)，實現(xiàn)與GaAs芯片和氧化鋁、氮化鋁等基板的熱匹配；同時可近凈成形形狀復雜的構件，因此生產(chǎn)成本也較低，使其在微波集成電路、功率模塊和微處器蓋板及散熱板等領域得到廣泛應用。比如：碳化硅陶瓷基板、IGBT基板、碳化硅散熱器、密封管殼、結構組件等具體產(chǎn)品。

以上闡述有關碳化硅陶瓷基板在IGBT應用的9個“理由”，應該明白碳化硅在IGBT封裝林起著非常重要的左右，更多關于碳化硅陶瓷基板相關問題可以咨詢金瑞欣特種電路。