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哪些陶瓷基板被用在大功率LED上

陶瓷基板

                                                                           哪些陶瓷基板被用在大功率LED上

LED散熱問題是LED大功率非常需要解決的問題,大功率LED有環(huán)保節(jié)能的需求。那么LED大功率都用到哪些陶瓷基板呢?

一,LED照明現(xiàn)狀和大功率LED需求

1,LED照明對環(huán)保節(jié)能需求

追求綠色能源經濟的當今,如何把握開發(fā)新能源已成為常態(tài)之事。在固態(tài)照明領域,白熾燈、熒光燈和高壓放電燈在過去幾十年里被人類社會普遍使用,但由于這些照明光源具有使用壽命短、耗能量大、不環(huán)保等缺點不能作為節(jié)能環(huán)保的照明光源。

LED ( light emitting diode )即發(fā)光二極管,是一種利用半導體芯片作為發(fā)光材料,其通過電致發(fā)光,將電能直接轉化為光能的新型節(jié)能照明光源。

陶瓷支架.jpg

2,散熱問題是LED大功率的當務之急

隨著國內外LED行業(yè)向高效率、高密度、大功率等方向發(fā)展,開發(fā)性能優(yōu)越的散熱材料已成為解決LED散熱問題的當務之急。

如果不解決好散熱問題,芯片內部熱量的聚集會導致溫度不斷升高,易引起發(fā)光波長漂移、熒光粉加速老化、出光效率下降和使用壽命縮短等一系列問題。

二,陶瓷基板能有效解決LED功率的散熱問題

      大功率LED所產生的熱量主要通過基板材料傳導到外殼而散發(fā)出去的,不同的基板材料,導熱性能各異。為使得LED結溫保持在較低溫度下,必須采用高熱導率、低熱阻的散熱基板材料和合理的封裝工藝,以降低LED總體的封裝熱阻。

1,不同散熱基板導熱系數(shù)不同,散熱功能不同。

常用的散熱基板材料包括硅、金屬(如鋁、銅)、陶瓷(氮化鋁、氧化鋁)和復合材料等。雖然金屬材料有較高的導熱系數(shù),但它與LED芯片襯底較高的熱失配難以滿足大功率LED封裝要求;而復合材料熱導率太低無法解決大功率LED散熱問題。

2,LED對散熱基板提出更高的要求

散熱基板作為熱流的主要通路在高功率LED的封裝應用中是必不可少的,它對于提高器件的散熱效率、降低結溫、提高器件的可靠度和壽命起著十分重要的作用。

LED 散熱基板的作用是吸收芯片產生的熱,并傳導至熱沉上,從而實現(xiàn)與芯片外界的熱交換。

因此,作為LED的理想散熱基板必須在物理性質、化學性質、電學性質方面具有以下幾個特性:

1)良好的化學穩(wěn)定性和耐腐蝕性

2)高的熱導率,熱膨脹系數(shù)與芯片材料相匹配

3)低的介電常數(shù)和介電損耗

4)電絕緣性好,并具有很高的機械強度

5)價格低廉、易加工

6)密度小、無毒

3,分析哪些陶瓷基板在LED大功率中的應用

1)氧化鈹陶瓷基板

具有高硬度和強度的優(yōu)異熱導體,這種材質的基板導熱率是氧化鋁基板的十幾倍,適用于大功率電路,并且介電常數(shù)又低,還可用于高頻電路,但是成本較高,氧化鈹粉末及其蒸汽對人體有害,存在環(huán)境問題。不適合目前LED環(huán)保節(jié)能的需要。

2)氧化鋁陶瓷基板

氧化鋁是在所有使用陶瓷基板中價格較低、綜合性能與作為基板材料使用最多的材料。氧化鋁陶瓷的玻璃成分一般由二氧化硅和其他氧化物組成,玻璃含量可由高變低,因為玻璃的導熱性差,因此玻璃含量高的陶瓷導熱性在制造高密度、大功率電路時需要格外注意,氧化鋁原材料與加工成品的匹配性需嚴格控制。大功率LED需要導熱率高,純度高、電流承載力高的陶瓷基板來做。氧化鋁陶瓷基板不太適合大功率LED照明。

3)碳化硅陶瓷基板

碳化硅的硬度僅次于金剛石,高純度單晶體的導熱率也僅次于金剛石。與其他材料相比,其熱擴散系數(shù)很大,甚至比銅還大,且熱膨脹系數(shù)與硅接近。室溫下熱導率比鋁高,可達氧化鋁基板的20倍以上,但熱導率會隨溫度的升高明顯下降。與氧化鋁相比,其介電常數(shù)高,絕緣耐壓性差。因此不太適合LED大功率照明。

4)氮化鋁陶瓷基板

氮化鋁陶瓷作為一種具有高熱導率、高強度、高電阻率、密度小、低介電常數(shù)、無毒、以及與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)等優(yōu)異性能的材料,具備良好的絕緣和機械性能,在高頻電信、LED照明、新能源汽車、高鐵、風能和光伏發(fā)電等新興領域的商業(yè)化應用逐漸普及。

氮化鋁與氧化鋁不同,在自然界沒有天然形成,需要人工制備氮化鋁。這使得AlN材料制作工藝比較復雜,生產成本較高,且目前大部分國產AlN材料制作尚且達不到高導熱、高強度的應用研究。

陶瓷圍壩基板.jpg

5)鋁碳化硅陶瓷基板(AI/SiC)

近年來,鋁碳化硅基板(AI/SiC)由于具有原料成本低、導熱高、密度低、可塑性強等優(yōu)點而越來越受到人們的關注。SiC 顆粒的熱膨脹系數(shù)與LED芯片襯底的熱膨脹系數(shù)相近,且彈性模量高,密度較??;同時鋁的高導熱、低密度、低成本和易加工等特點,使其用作基板材料時具有獨特的優(yōu)勢,因此,兩種材料復合得到的鋁碳化硅基板綜合性能優(yōu)良,可應用于大功率LED基板。

綜上可知,氮化鋁陶瓷基板以及鋁碳化硅陶瓷基板的優(yōu)勢和性能更加符合大功率LED的需求,因此這兩種陶瓷基板比較適合大功率LED半導體照明。更多led陶瓷基板相關問題可以咨詢金瑞欣特種電路。

參考文獻:

《氮化鋁陶瓷基板在高功率LED中應用研究》——王新中,劉文,鮑鋒輝

《大功率LED氮化鋁陶瓷散熱基板的制備》——齊維靖

《氮化鋁陶瓷基板制備工藝的研究》——邱基華

《比較幾種大功率LED封裝基板材料》——趙贊良,唐政維,蔡雪梅,李秋俊,張憲力

 

 

 


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